MOSFET
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3.5.4甲乙类功率放大电路
好,这节课我们来介绍
甲乙类功率放大电路
它位于教材的3.6.6节
图示的乙类功率放大电路
在小电流时性能良好
但是用于大功率功放电路时
会有热击穿问题
在大功率情况下
三极管 T1 和 T2
它的发热
远比二极管 D1 和 D2 要严重
因为它们的电流相差悬殊
T1 和 T2 流过的是主电流
由于-2.5 mV/℃ 的温漂作用
UBE 会随着温度的升高
而逐渐降低
但二极管的管压降
是基本不变的
造成了 T1 和 T2 同时导通
温漂的最终结果是
T1 T2 因为过流发热而损坏
这种现象就被称为热击穿
好,我们来仿真一下
添加二极管 D3 D4
来模拟二级管管压降
高于三极管 UBE 的情况
等效一下
电流表读数为256毫安
远远超过5伏电压
加载在1000欧负载上的电流
我们可以算一下
我电源电压
单端也就是5伏
负载电阻1000欧
最多也就是5毫安
可是呢
我 T1 T2 上的电流
能达到256毫安
哪来的
如此大的电流
它的来源是 T1 和 T2
同时导通产生的
这个电流并不流过负载
直接导通下去了
这么大的电流
长时间
肯定 T1 T2 扛不住
而这个电流为什么
没有进一步增大
怎么没有短路呢
是因为 R3 和 R4
对三极管基极电流的限制作用
R3 R4 的电流
控制着我们的基极电流
而基极电流
实际上呢
控制着我们的 iE 电流
因为 R3 上电流的有限值
我们的 iE 不可能无穷大
引入 R4 R5 后
电路变身为
甲乙类功率放大电路
相当于部分引入了 RE
有点像甲类功放
会有额外的功耗
但是明显小于
甲类功放 RE 上的功耗
那么我们实测看到
T1 T2 上电流
只有25.96毫安
是可以的
本课小结
乙类功放有热击穿问题
二极管发热小于三极管发热
PN 结电压不能抵消
乙类功放在大功率应用时会烧毁
T1 和 T2 上会流入比较大的电流
加入 R4 R5
可以构成甲乙类功放
它可以限制热击穿电流
好了,这节课就到这里
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