最新课程
- 从零开始学 PSpice® for TI 仿真工具 - 手把手操作实训课程
- 高压系统功能安全简介
- 揭秘高压应用安规中的电气间隙和爬电距离
- 管理微型逆变器中的电源转换挑战
- 比较三相工业系统的交流/直流电源转换拓扑
- 隔离认证概述及其对高压设计的意义
- 在基于 GaN 的电源中实现钛金级效率
- 提高 800V SiC 牵引逆变器效率和功率密度的主要设计注意事项
- 如何设计安全可靠和高效的储能系统
- 使用传统升压控制器创建初级侧调节反激式转换器
热门课程
- TI 高精度实验室 – ADC系列视频
- TI 高精度实验室-接口
- TI 高精度实验室系列课程 - 运算放大器
- 电子电路基础知识讲座
- TI 高精度实验室 - 电流检测放大器
- TI PSDS研讨会课程
- TI 电源培训授证项目-在线答疑专题 Q&A
- 三种 DC/DC 控制模式的实际比较
- 电源管理设计小贴士
- PSpice® for TI
相关标签
有关“FET”的课程有以下27条记录
-
- 如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性
- 课程时长：24:38
- 视频集数：1
- 讲师：汪钢耀
- 标签： UCC21521 碳化硅 MOSFET SiC材料 太阳能 电动汽车
- 本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。
-
- 运算放大器技术概述
- 课程时长：38:47
- 视频集数：1
- 标签： OPA365 运算放大器 CMOS JFET放大器 拓扑
- CMOS，双极和JFET放大器有什么区别？ 什么时候应该使用另一个？ 什么时候应该使用没有输入交叉失真的放大器，输入交叉失真是什么？ Zero-Drift，Chopper和auto-zero放大器怎么样？ 本演示将帮助您了解如何根据拓扑类型快速选择合适的运算放大器。
-
- 如何以及为什么用负载开关替换分立MOSFET
- 课程时长：21:51
- 视频集数：1
- 标签： MOSFET 负载开关 分立功率开关 分立解决方案 功率开关
- “你将学到什么： 如何在原理图中识别分立功率开关解决方案 使用分立解决方案的挑战 负载开关如何为功率开关提供更好的性能，具有更多功能和更小的解决方案尺寸“
-
- 功率级：高性能参数和MOSFET和栅极驱动器的选择
- 课程时长：9:45
- 视频集数：1
- 标签： MOSFET 栅极驱动器 电机驱动 无线 电动工具
- 了解无线电动工具中的电机驱动子系统，高性能参数以及MOSFET和栅极驱动器的选择，以在功率级中实现这些高性能参数。
-
- 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
- 课程时长：1:01:25
- 视频集数：1
- 讲师：张巍
- 标签： UCC2751X UCC2771X UCC53XX TIDA-01160 PMP20873 MOSFET IGBT 栅极驱动 电路寄生参数 软开关
- 本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响，对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别，也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。
-
- DRV3000系列SafeTI马达驱动满足功能安全需求设计
- 课程时长：12:37
- 视频集数：1
- 标签： DRV3000 电机驱动器 信号链 SafeTI 马达驱动
- DRV3000 Safe TI电机驱动器产品系列经专门设计和开发，专用于支持诸如电动助力转向、制动和变速器等汽车功能安全应用的开发。
-
- 栅极驱动器的设计陷阱以及如何解决
- 课程时长：12:20
- 视频集数：1
- 标签： 栅极驱动器 电源管理 电源开关 MOSFET 电路
- 观看这个由两部分组成的视频系列，了解栅极驱动电路中常见的一些错误以及如何修复它们。
-
- 电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择
- 课程时长：4:33
- 视频集数：1
- 标签： 电源设计小贴士 同步降压 MOSFET 电阻 电源管理
- 电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择。
-
- BUF802：宽带宽、高输入阻抗 JFET 缓冲器
- 课程时长：3:39
- 视频集数：1
- 标签： 示波器 阻抗 JFET 缓冲器 BUF802
- 该视频重点介绍了使 BUF802 成为 TI 一流输入缓冲器的特性，以及作为基于 ASIC 和 FET 输入放大器的前端设计的出色单芯片替代品。本视频还提供了采用 BUF802 的示波器参考设计以及开发板演示。
-
- 相移全桥转换器基础知识
- 课程时长：36:38
- 视频集数：1
- 标签： 相移全桥转换器 PSFB 同步整流器 钳位电路 MOSFET
- 相移全桥转换器（PSFB）在高性能电源中很常见，具有快速瞬态响应、高功率密度和高转换器效率等特性。本主题将会回顾 PSFB 的工作原理、PSFB 的特性、不同类型的整流器、钳位选项、转换器控制模式、同步整流器工作模式和轻负载管理选项。基于模块化硬件系统通用冗余电源基本规范的 PSFB 设计，展示了 PSFB 具有有源钳位电路的能力，能够实现具有高瞬态响应的大功率设计。
-
- 基于 SiC 的三级三相并网逆变器
- 课程时长：1:53
- 视频集数：1
- 标签： SiC 并网逆变器 处理器 数字电源 MOSFET
- 应用：串式逆变器、中央逆变器、电动汽车充电站、企业级存储系统（数据中心）、UPS 产品优势：通过 AM2634 controlCARD 实现数字电源控制，在 3us 内即可完成执行闭环数字控制。基于 SiC MOSFET 的 TNPC 逆变器可实现高效率并缩小尺寸。
-
- 跨电感稳压器 (TLVR) 简介
- 课程时长：29:50
- 视频集数：1
- 标签： 跨电感稳压器 TLVR MOSFET 降压稳压器 瞬态响应
- 2019 年推出的跨电感稳压器（TLVR）拓扑与传统多相降压稳压器拓扑相比，在瞬态响应、功率密度和解决方案成本方面实现了重大改进（在本主题中的设计示例中，电容器减少了 40% 以上）。本主题将会涵盖 TLVR 拓扑的工作原理、相对于传统稳压器的性能和成本改进、设计公式和相关指南。
-
- TIDA-010216 - 基于BQ76952的低压家庭储能电池管理系统
- 课程时长：1:57
- 视频集数：1
- 标签： BQ76952 家庭储能 电池管理 MOSFET 电池监测器
- 本参考设计是一个 16 节三元锂/磷酸铁锂电池串的低侧 N 沟道 MOSFET 控制的电池包参考设计，带有 BQ76952 电池监测器。它能够非常精确地监控各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子/磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。它采用低侧 N 沟道 MOSFET 架构，具有强大的驱动开关能力，带有 5A 双通道驱动器 UCC27524。通过精心设计的辅助电源控制策略和高效低静态电流DC/DC转换器 LM5163，本参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并允许更长的运输时间和空闲时间。
-
- TID基础知识
- 课程时长：52:03
- 视频集数：3
- 标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射
- 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。
-
- 德州仪器电源新产品
- 课程时长：21:22
- 视频集数：1
- 讲师：Jacky Zhang
- 标签： 电源 德州仪器 电源设计研讨会 PMBus MOSFET
- 介绍TI最新的电源产品，包括Higher voltage/current integrated switchers，Packaging，PMBus ，Digital loops，Light load efficiency，Transient load response，Lower voltage outputs，Higher voltage MOSFET’s
-
- 主流功率半导体简介
- 课程时长：2:03
- 视频集数：1
- 标签： 功率半导体 Si-MOSFET IGBT GaN 栅极驱动器
- 本节将简要比较 Si-MOSFET、IGBT、Si-MOSFET 和 GaN 器件的主要区别，并强调栅极驱动器选择和设计注意事项的重要性。
-
- GaN FET 技术比较
- 课程时长：7:05
- 视频集数：2
- 标签： GaN FET 氮化镓 电源管理
- 本视频将简要介绍 GaN，展示 GaN 与其他技术的比较，介绍一些可带来优势的功能，并告诉您如何利用 GaN 的优势。
-
- GaN 晶体管的命名法、类型和结构
- 课程时长：7:35
- 视频集数：2
- 标签： GaN 氮化镓 晶体管 电源管理 FET
- 在 GaN 功率开关基础知识视频的第 1 部分中，我们将简要介绍 GaN 的优点、GaN 晶体管命名法、GaN FET 的类型和基本结构。
-
- 适用于每个 FET 的 TI 栅极驱动器
- 课程时长：46:04
- 视频集数：4
- 讲师：张巍
- 标签： FET 栅极驱动器 电源管理 驱动电路 隔离式驱动器
- 本次直播中，我们将带您了解 TI 如何通过其众多系列的栅极驱动器简化驱动电路设计，包括从简单的低压侧驱动器到具有高级保护的隔离式驱动器。本演示文稿将重点介绍各个驱动系列及其应用实例及有用的 TI 官网材料。
-
- GaN FET 的关键参数
- 课程时长：6:44
- 视频集数：2
- 标签： GaN 氮化镓 FET 电源管理 寄生组件
- 在参数和设计建议视频的第 1 部分中，我们将介绍 GaN 提供的参数优势、其寄生组件及其优势。
