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有关“FET”的课程有以下25条记录
Power Tip 31: 同步降压MOSFET电阻比的正确选择
Power Tip 31: 同步降压MOSFET电阻比的正确选择
课程时长:4:33
视频集数:1
标签: 电源 MOSFET 电阻 电源管理 同步降压
如何正确选择同步降压MOSFET电阻比。
电源设计小贴士28&29:估算热插拔MOSFET的瞬态温升
电源设计小贴士28&29:估算热插拔MOSFET的瞬态温升
课程时长:6:36
视频集数:1
标签: 电源设计 MOSFET 瞬态温升 电源 热插拔
介绍如何估算MOSFET上的瞬态温升。
电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件
电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件
课程时长:7:35
视频集数:1
标签: 电源设计 分立器件 MOSFET 电源 晶体管
如何使用分立式晶体管代换集成性MOSFET驱动器。
德州仪器电源新产品
德州仪器电源新产品
课程时长:21:22
视频集数:1
讲师:Jacky Zhang
标签: 电源 德州仪器 电源设计研讨会 PMBus MOSFET
介绍TI最新的电源产品,包括Higher voltage/current integrated switchers,Packaging,PMBus ,Digital loops,Light load efficiency,Transient load response,Lower voltage outputs,Higher voltage MOSFET’s
DRV3000系列SafeTI马达驱动满足功能安全需求设计
DRV3000系列SafeTI马达驱动满足功能安全需求设计
课程时长:12:37
视频集数:1
标签: DRV3000 电机驱动器 信号链 SafeTI 马达驱动
DRV3000 Safe TI电机驱动器产品系列经专门设计和开发,专用于支持诸如电动助力转向、制动和变速器等汽车功能安全应用的开发。
电子电路基础知识讲座
电子电路基础知识讲座
课程时长:9:46:11
视频集数:79
讲师:傅强
标签: MOSFET 斩波电路 逆变电路 隔离驱动 二极管 放大电路 电源
本次课程由TI邀请青岛大学傅强老师录制,深入浅出的介绍了与电源技术相关的基础性知识,帮助大家更深入的了解产品,更轻松的进行产品的选型和设计。
读懂MOSFET数据手册
读懂MOSFET数据手册
课程时长:27:40
视频集数:3
标签: MOSFET 雪崩能量 安全工作面积 电源 雪崩额定值
讨论MOSFET 产品说明书。具体来说,将讨论雪崩额定值及其含义。
熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
课程时长:1:01:25
视频集数:1
讲师:张巍
标签: UCC2751X UCC2771X UCC53XX TIDA-01160 PMP20873 MOSFET IGBT 栅极驱动 电路寄生参数 软开关
本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。
如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性
如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性
课程时长:24:38
视频集数:1
讲师:汪钢耀
标签: UCC21521 碳化硅 MOSFET SiC材料 太阳能 电动汽车
本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。
TID基础知识
TID基础知识
课程时长:52:03
视频集数:3
标签: TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射
航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量(TID),也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介​​电层中产生过量电荷时,引起总剂量效应。总剂量效应是累积的,并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此,卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害,因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的,但是空穴(带正电的原子)必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导(关断)状态切换到高电导(导通)状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移,使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流,导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品,这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。
运算放大器技术概述
运算放大器技术概述
课程时长:38:47
视频集数:1
标签: OPA365 运算放大器 CMOS JFET放大器 拓扑
CMOS,双极和JFET放大器有什么区别? 什么时候应该使用另一个? 什么时候应该使用没有输入交叉失真的放大器,输入交叉失真是什么? Zero-Drift,Chopper和auto-zero放大器怎么样? 本演示将帮助您了解如何根据拓扑类型快速选择合适的运算放大器。
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