最新课程
- 从零开始学 PSpice® for TI 仿真工具 - 手把手操作实训课程
- 高压系统功能安全简介
- 揭秘高压应用安规中的电气间隙和爬电距离
- 管理微型逆变器中的电源转换挑战
- 比较三相工业系统的交流/直流电源转换拓扑
- 隔离认证概述及其对高压设计的意义
- 在基于 GaN 的电源中实现钛金级效率
- 提高 800V SiC 牵引逆变器效率和功率密度的主要设计注意事项
- 如何设计安全可靠和高效的储能系统
- 使用传统升压控制器创建初级侧调节反激式转换器
热门课程
- TI 高精度实验室 – ADC系列视频
- TI 高精度实验室-接口
- TI 高精度实验室系列课程 - 运算放大器
- 电子电路基础知识讲座
- TI 高精度实验室 - 电流检测放大器
- TI PSDS研讨会课程
- TI 电源培训授证项目-在线答疑专题 Q&A
- 三种 DC/DC 控制模式的实际比较
- 电源管理设计小贴士
- PSpice® for TI
相关标签
有关“FET”的课程有以下27条记录
- 德州仪器电源新产品
- 课程时长:21:22
- 视频集数:1
- 讲师:Jacky Zhang
- 标签: 电源 德州仪器 电源设计研讨会 PMBus MOSFET
- 介绍TI最新的电源产品,包括Higher voltage/current integrated switchers,Packaging,PMBus ,Digital loops,Light load efficiency,Transient load response,Lower voltage outputs,Higher voltage MOSFET’s
- DRV3000系列SafeTI马达驱动满足功能安全需求设计
- 课程时长:12:37
- 视频集数:1
- 标签: DRV3000 电机驱动器 信号链 SafeTI 马达驱动
- DRV3000 Safe TI电机驱动器产品系列经专门设计和开发,专用于支持诸如电动助力转向、制动和变速器等汽车功能安全应用的开发。
- 电子电路基础知识讲座
- 课程时长:9:46:11
- 视频集数:79
- 讲师:傅强
- 标签: MOSFET 斩波电路 逆变电路 隔离驱动 二极管 放大电路 电源
- 本次课程由TI邀请青岛大学傅强老师录制,深入浅出的介绍了与电源技术相关的基础性知识,帮助大家更深入的了解产品,更轻松的进行产品的选型和设计。
- 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
- 课程时长:1:01:25
- 视频集数:1
- 讲师:张巍
- 标签: UCC2751X UCC2771X UCC53XX TIDA-01160 PMP20873 MOSFET IGBT 栅极驱动 电路寄生参数 软开关
- 本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。
- 如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性
- 课程时长:24:38
- 视频集数:1
- 讲师:汪钢耀
- 标签: UCC21521 碳化硅 MOSFET SiC材料 太阳能 电动汽车
- 本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。
- TID基础知识
- 课程时长:52:03
- 视频集数:3
- 标签: TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射
- 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量(TID),也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时,引起总剂量效应。总剂量效应是累积的,并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此,卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害,因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的,但是空穴(带正电的原子)必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导(关断)状态切换到高电导(导通)状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移,使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流,导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品,这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。