最新课程
- 在机器人应用中利用毫米波技术
- 利用 TI 毫米波传感器的移动机器人应用
- 利用 TI 毫米波传感器的工业机器人应用
- CCS 和 C2000Ware 入门
- 介绍热门功率半导体
- 数字电源控制介绍
- Processor SDK
- 为您的设计找到合适的模拟电源控制器
- 高效 DCDC 转换器噪音和干扰抑制(上)
- 高效 DCDC 转换器噪音和干扰抑制(下)
热门课程
- 从零开始学 PSpice® for TI 仿真工具 - 手把手操作实训课程
- TI 高精度实验室-接口
- TI 高精度实验室 – ADC系列视频
- TI 高精度实验室系列课程 - 运算放大器
- 电子电路基础知识讲座
- 实战+剖析:TI 工程师带您 快速上手TMS320F28P55x
- 电源管理设计小贴士
- TI PSDS研讨会课程
- TI 高精度实验室 - 电流检测放大器
- 三种 DC/DC 控制模式的实际比较
相关标签
有关“MOSFET”的课程有以下19条记录
-
- 介绍热门功率半导体
- 课程时长:2:12
- 视频集数:1
- 标签: 功率半导体 Si-MOSFET IGBT GaN 栅极驱动器
- 本节将简要比较 Si-MOSFET、IGBT、Si-MOSFET 和 GaN 器件的主要差异,并强调栅极驱动器选择和设计考虑的重要性。
-
- 高效 DC-DC 转换器的设计
- 课程时长:42:47
- 视频集数:1
- 标签: DC-DC转换器 开关器件 MOSFET 环路优化 稳压器
- 本次直播将带您一起深入了解DC-DC转换器的设计以及噪声和干扰抑制。主要包含内容: 1.优化开关器件MOSFET以减少损耗 2.增强系统的性能以及可靠性 3.环路优化及输入/输出电容选择 4.动态响应与轻载模式优化及TI宽压产品概览
-
- 主流功率半导体简介
- 课程时长:2:03
- 视频集数:1
- 标签: 功率半导体 Si-MOSFET IGBT GaN 栅极驱动器
- 本节将简要比较 Si-MOSFET、IGBT、Si-MOSFET 和 GaN 器件的主要区别,并强调栅极驱动器选择和设计注意事项的重要性。
-
- 基于 SiC 的三级三相并网逆变器
- 课程时长:1:53
- 视频集数:1
- 标签: SiC 并网逆变器 处理器 数字电源 MOSFET
- 应用:串式逆变器、中央逆变器、电动汽车充电站、企业级存储系统(数据中心)、UPS 产品优势:通过 AM2634 controlCARD 实现数字电源控制,在 3us 内即可完成执行闭环数字控制。基于 SiC MOSFET 的 TNPC 逆变器可实现高效率并缩小尺寸。
-
- TIDA-010216 - 基于BQ76952的低压家庭储能电池管理系统
- 课程时长:1:57
- 视频集数:1
- 标签: BQ76952 家庭储能 电池管理 MOSFET 电池监测器
- 本参考设计是一个 16 节三元锂/磷酸铁锂电池串的低侧 N 沟道 MOSFET 控制的电池包参考设计,带有 BQ76952 电池监测器。它能够非常精确地监控各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度,并防止锂离子/磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。它采用低侧 N 沟道 MOSFET 架构,具有强大的驱动开关能力,带有 5A 双通道驱动器 UCC27524。通过精心设计的辅助电源控制策略和高效低静态电流DC/DC转换器 LM5163,本参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗,因此能够节省更多能源并允许更长的运输时间和空闲时间。
-
- 了解 MOSFET 数据表
- 课程时长:1:17:34
- 视频集数:5
- 标签: MOSFET 雪崩额定值 安全工作区 热阻抗 栅极驱动器
- 当谈到 MOSFET 数据表时,您必须知道您在寻找什么。虽然某些参数是显而易见的和明确的(BV DSS、R DS(ON)、栅极电荷),但其他参数充其量可能是模棱两可的(ID、SOA 曲线),而其他参数有时可能完全没用(参见:开关时间)。在即将发布的这一系列博客文章中,我们将尝试揭开 FET 数据表的神秘面纱,以便读者可以轻松定位和辨别其应用中最常用的数据,而不会被多余的信息所困扰。阅读博客或观看视频。
-
- 电源设计小贴士31:同步降压MOSFET电阻比的正确选择
- 课程时长:4:33
- 视频集数:1
- 标签: 电源设计小贴士 同步降压 MOSFET 电阻 电源管理
- 电源设计小贴士31:同步降压MOSFET电阻比的正确选择。
-
- 栅极驱动器的设计陷阱以及如何解决
- 课程时长:12:20
- 视频集数:1
- 标签: 栅极驱动器 电源管理 电源开关 MOSFET 电路
- 观看这个由两部分组成的视频系列,了解栅极驱动电路中常见的一些错误以及如何修复它们。
-
- TID基础知识
- 课程时长:52:03
- 视频集数:3
- 标签: TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射
- 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量(TID),也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时,引起总剂量效应。总剂量效应是累积的,并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此,卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害,因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的,但是空穴(带正电的原子)必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导(关断)状态切换到高电导(导通)状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移,使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流,导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品,这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。