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有关“GaN”的课程有以下8条记录
如何在高效率功率因数校正(PFC)中使用 TI GaN?
如何在高效率功率因数校正(PFC)中使用 TI GaN?
课程时长:29:57
视频集数:3
标签: 功率因数校正 PFC GaN C2000 PFC
在这次讲座中我们将介绍如何使用 TI GaN 在 PFC 中实现高效率和高密度,包括拓扑比较,控制器选择, GaN 在工业和汽车应用方面的 PCB 布局技巧,以及如何在基于 TI GaN 图腾柱 PFC 中搭配使用 C2000 控制器。
TI 系统级电源设计研讨会
TI 系统级电源设计研讨会
课程时长:2:45:51
视频集数:5
讲师:张巍, 林思聪, 傅力行
标签: 电源设计 待机功耗 栅极驱动器 隔离 GaN
具体介绍 TI 最新高压电源产品线及其相关技术培训,并且邀请了 TI 资深技术工程师及产品线大咖为您解决时下设计热点及前沿技术趋势等热点技术问题。
氮化镓功率器件TI-GaN在900V千瓦级多电平系统中的应用
氮化镓功率器件TI-GaN在900V千瓦级多电平系统中的应用
课程时长:17:36
视频集数:1
标签: 氮化镓功率器件 GaN 多电平系统 电源管理 电池
氮化镓功率器件TI-GaN在900V千瓦级多电平系统中的应用。
TI 基于GaN 的高频(1.2MHz)高效率 1.6kW 高密度临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC)转换器的应用介绍
TI 基于GaN 的高频(1.2MHz)高效率 1.6kW 高密度临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC)转换器的应用介绍
课程时长:1:05:56
视频集数:3
讲师:王蕊 Rayna Wang
标签: GaN 功率器件 PFC TIDA-00961 LMG3410
TIDA-00961方案使用了TI 600V氮化镓(GaN)功率器件LMG3410和TI Piccolo™ F280049主控芯片,其满载功率为1.6kW,最高开关频率1.2MHz,工作在(CRM)临界模式,密度高(165 x 84 x 40 mm)。该方案具有高频高效高密度特点,是服务器、电信和工业电源等有体积限制要求电源的理想选择。另外,该方案的两相交错并联结构能够减少输入和输出的电流纹波;硬件设计能够满足传导(conducted missions),浪涌(surge)和EFT的要求,帮助工程师实现80 Plus钛金规格。
如何使用 GaN 设计可靠、高密度的电源解决方案
如何使用 GaN 设计可靠、高密度的电源解决方案
课程时长:34:50
视频集数:1
讲师:傅力行
标签: GaN 氮化镓 电源 高功率密度 电源设计
氮化镓(GaN)技术开启的新一代电源设计将不可能变成了现实。 这些设计在提供可靠和坚实的质量保障下,能使工程师获得前所未有的功率密度和电源效率。 本次讲座的目的是帮助新手和有经验的电源工程师轻松理解氮化镓技术, 以及基于氮化镓器件的高功率密度, 效率的电源设计要点,包括可靠性, 器件选择等等。
GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计
GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计
课程时长:32:22
视频集数:1
讲师:傅力行
标签: GaN 氮化镓功率器件 电路设计 PFC LLC
本课程重点介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计
如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计
如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计
课程时长:5:45
视频集数:1
标签: POL GaN DC-DC转换器 电源 控制器
解释如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计
基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC(CCM)
基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC(CCM)
课程时长:15:22
视频集数:2
讲师:Jason Yu
标签: 氮化镓 PFC 电源设计研讨会 电源 GaN
由于其出色的开关特性和经改进的性能指标,氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率,从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与常用到的伪无桥式PFC拓扑相比,CCM图腾柱无桥PFC将半导体和升压电感器的数量减少了一半,同时将效率提升到99%的范围内。构建了一个450W图腾柱PFC电路,以表示第一款具有集成栅极驱动器的工业用非共源共栅 GaN所具有的特性。这款GaN充分证明了在性能方面的改进与提高。为了防止轻负载时的反向升压电流,提出了高精度飞轮GaN接通时间控制。还检查了高级开关频率控制,以优化转换器频率。
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