氮化镓 (GaN) IC
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采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
在本次直播中，我们将从第三代半导体氮化镓（GaN）技术切入，探讨 GaN 如何在光伏逆变器中助力实现更高的功率密度和效率，并缩小整体设计尺寸。借助 TI 新近推出的 100V 集成式 GaN 功率级器件——具有栅极驱动器的 GaN 半桥 LMG2100R044 和具有栅极驱动器的单个 GaN FET...（显示全部 ↓）
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