标签:FET - 德州仪器（TI）官方视频课程培训

电子电路基础知识讲座

课程时长：9:46:11

视频集数：79

讲师：傅强

标签： MOSFET 斩波电路逆变电路隔离驱动二极管放大电路电源

本次课程由TI邀请青岛大学傅强老师录制，深入浅出的介绍了与电源技术相关的基础性知识，帮助大家更深入的了解产品，更轻松的进行产品的选型和设计。

了解 MOSFET 数据表

课程时长：1:17:34

视频集数：5

标签： MOSFET 雪崩额定值安全工作区热阻抗栅极驱动器

当谈到 MOSFET 数据表时，您必须知道您在寻找什么。虽然某些参数是显而易见的和明确的（BV DSS、R DS(ON)、栅极电荷），但其他参数充其量可能是模棱两可的（ID、SOA 曲线），而其他参数有时可能完全没用（参见：开关时间）。在即将发布的这一系列博客文章中，我们将尝试揭开 FET 数据表的神秘面纱，以便读者可以轻松定位和辨别其应用中最常用的数据，而不会被多余的信息所困扰。阅读博客或观看视频。

GaN FET 注意事项

课程时长：7:56

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓 FET 电源管理驱动

该视频将介绍 GaN FET 的一些优点、结构优势以及一些驱动要求。

GaN FET 的关键参数

课程时长：6:44

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓 FET 电源管理寄生组件

在参数和设计建议视频的第 1 部分中，我们将介绍 GaN 提供的参数优势、其寄生组件及其优势。

适用于每个 FET 的 TI 栅极驱动器

课程时长：46:04

视频集数：4

讲师：张巍

标签： FET 栅极驱动器电源管理驱动电路隔离式驱动器

本次直播中，我们将带您了解 TI 如何通过其众多系列的栅极驱动器简化驱动电路设计，包括从简单的低压侧驱动器到具有高级保护的隔离式驱动器。本演示文稿将重点介绍各个驱动系列及其应用实例及有用的 TI 官网材料。

GaN 晶体管的命名法、类型和结构

课程时长：7:35

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓晶体管电源管理 FET

在 GaN 功率开关基础知识视频的第 1 部分中，我们将简要介绍 GaN 的优点、GaN 晶体管命名法、GaN FET 的类型和基本结构。

GaN FET 技术比较

课程时长：7:05

视频集数：2

标签： GaN FET 氮化镓电源管理

本视频将简要介绍 GaN，展示 GaN 与其他技术的比较，介绍一些可带来优势的功能，并告诉您如何利用 GaN 的优势。

主流功率半导体简介

课程时长：2:03

视频集数：1

标签：功率半导体 Si-MOSFET IGBT GaN 栅极驱动器

本节将简要比较 Si-MOSFET、IGBT、Si-MOSFET 和 GaN 器件的主要区别，并强调栅极驱动器选择和设计注意事项的重要性。

Power Tip 31: 同步降压MOSFET电阻比的正确选择

课程时长：4:33

视频集数：1

标签：电源 MOSFET 电阻电源管理同步降压

如何正确选择同步降压MOSFET电阻比。

跨电感稳压器 (TLVR) 简介

课程时长：29:50

视频集数：1

标签：跨电感稳压器 TLVR MOSFET 降压稳压器瞬态响应

2019 年推出的跨电感稳压器（TLVR）拓扑与传统多相降压稳压器拓扑相比，在瞬态响应、功率密度和解决方案成本方面实现了重大改进（在本主题中的设计示例中，电容器减少了 40% 以上）。本主题将会涵盖 TLVR 拓扑的工作原理、相对于传统稳压器的性能和成本改进、设计公式和相关指南。

TID基础知识

课程时长：52:03

视频集数：3

标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天辐射

航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。

德州仪器电源新产品

课程时长：21:22

视频集数：1

讲师：Jacky Zhang

标签：电源德州仪器电源设计研讨会 PMBus MOSFET

介绍TI最新的电源产品，包括Higher voltage/current integrated switchers，Packaging，PMBus ，Digital loops，Light load efficiency，Transient load response，Lower voltage outputs，Higher voltage MOSFET’s

电源设计小贴士28&29：估算热插拔MOSFET的瞬态温升

课程时长：6:36

视频集数：1

标签：电源设计 MOSFET 瞬态温升电源热插拔

介绍如何估算MOSFET上的瞬态温升。

TIDA-010216 - 基于BQ76952的低压家庭储能电池管理系统

课程时长：1:57

视频集数：1

标签： BQ76952 家庭储能电池管理 MOSFET 电池监测器

本参考设计是一个 16 节三元锂/磷酸铁锂电池串的低侧 N 沟道 MOSFET 控制的电池包参考设计，带有 BQ76952 电池监测器。它能够非常精确地监控各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子/磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。它采用低侧 N 沟道 MOSFET 架构，具有强大的驱动开关能力，带有 5A 双通道驱动器 UCC27524。通过精心设计的辅助电源控制策略和高效低静态电流DC/DC转换器 LM5163，本参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并允许更长的运输时间和空闲时间。

电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件

课程时长：7:35

视频集数：1

标签：电源设计分立器件 MOSFET 电源晶体管

如何使用分立式晶体管代换集成性MOSFET驱动器。

读懂MOSFET数据手册

课程时长：27:40

视频集数：3

标签： MOSFET 雪崩能量安全工作面积电源雪崩额定值

讨论MOSFET 产品说明书。具体来说，将讨论雪崩额定值及其含义。

基于 SiC 的三级三相并网逆变器

课程时长：1:53

视频集数：1

标签： SiC 并网逆变器处理器数字电源 MOSFET

应用：串式逆变器、中央逆变器、电动汽车充电站、企业级存储系统（数据中心）、UPS 产品优势：通过 AM2634 controlCARD 实现数字电源控制，在 3us 内即可完成执行闭环数字控制。基于 SiC MOSFET 的 TNPC 逆变器可实现高效率并缩小尺寸。

相移全桥转换器基础知识

课程时长：36:38

视频集数：1

标签：相移全桥转换器 PSFB 同步整流器钳位电路 MOSFET

相移全桥转换器（PSFB）在高性能电源中很常见，具有快速瞬态响应、高功率密度和高转换器效率等特性。本主题将会回顾 PSFB 的工作原理、PSFB 的特性、不同类型的整流器、钳位选项、转换器控制模式、同步整流器工作模式和轻负载管理选项。基于模块化硬件系统通用冗余电源基本规范的 PSFB 设计，展示了 PSFB 具有有源钳位电路的能力，能够实现具有高瞬态响应的大功率设计。