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- 标签: SiC 逆变器 功率密度 栅极驱动器 电动汽车
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- 采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
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- 标签: GaN 光伏逆变器 栅极驱动器 电源管理 功率密度
- 在本次直播中,我们将从第三代半导体氮化镓(GaN)技术切入,探讨 GaN 如何在光伏逆变器中助力实现更高的功率密度和效率,并缩小整体设计尺寸。借助 TI 新近推出的 100V 集成式 GaN 功率级器件——具有栅极驱动器的 GaN 半桥 LMG2100R044 和具有栅极驱动器的单个 GaN FET LMG3100R017,可实现超小的开关环路,超高的效率及更快的导通和关断速度。 此外,我们还将从光伏逆变器系统设计出发, 重点介绍微型逆变器和组串式逆变器两款参考设计,以满足其双向化趋势并适应 BESS 的需求。
- 电源工程师培训授证项目系列培训-GaN HEMT 器件的研究现状、特点及应用
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- 讲师:徐驰
- 标签: 电源工程师 GaN HEMT 功率密度 电源管理
- 氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体,与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比,它可以实现更高的功率密度和效率。 这次直播将会介绍氮化镓 HEMT 器件的发展历程,特点以及应用实例等。
- pin-to-pin 降压模块,加速上市时间并提高功率密度
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- 标签: pin-to-pin 降压模块 功率密度 TPSM33625 稳压器
- 在本次会议中,您将了解我们降压模块系列的最新版本,这些版本允许在一系列输入电压和输出电流范围内实现引脚对引脚兼容性。具体主题包括: • 使用降压模块解决方案与使用独立转换器的优势 • TPSM33625(36V Vin,2.5A Iout)和 TPSM365R6(65V Vin,600mA Iout)产品概览 • 降压模块技术的最新进展
- 功率密度、GaN 和 EMI 创新如何进一步推动电源管理
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- 标签: 功率密度 GaN EMI 电源管理 封装
- 新工艺、封装和电路设计技术使电源设计人员能够开发下一代集成电路 (IC) 和系统——尽管他们必须在设计周期中克服各种挑战。适用于任何应用的最佳功率器件具有更小的尺寸、更低的系统成本、更高的效率和更高的可靠性。与汽车电源设计服务总经理 Pradeep Shenoy 一起,了解三个宏观层面的电源管理趋势(功率密度、GaN 和 EMI)的创新如何帮助工程师做到这一点。
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