首页 > 标签 > 功率密度

最新课程

热门课程

相关标签

有关“功率密度”的课程有以下10条记录
TI高功率密度电源设计中的散热解决方案
TI高功率密度电源设计中的散热解决方案
课程时长:23:55
视频集数:2
标签: 功率密度 电源设计 散热 信号链 WebTHERM
TI高功率密度电源设计中的散热解决方案。温度对可靠性的影响。温度与效率之间的关系,结温的计算。WebTHERM 介绍。
如何使用 GaN 设计可靠、高密度的电源解决方案
如何使用 GaN 设计可靠、高密度的电源解决方案
课程时长:34:50
视频集数:1
讲师:傅力行
标签: GaN 氮化镓 电源 高功率密度 电源设计
氮化镓(GaN)技术开启的新一代电源设计将不可能变成了现实。 这些设计在提供可靠和坚实的质量保障下,能使工程师获得前所未有的功率密度和电源效率。 本次讲座的目的是帮助新手和有经验的电源工程师轻松理解氮化镓技术, 以及基于氮化镓器件的高功率密度, 效率的电源设计要点,包括可靠性, 器件选择等等。
了解功率密度的基本技术
了解功率密度的基本技术
课程时长:1:01:14
视频集数:5
标签: 功率密度 电源供电 热性能 开关损耗 电路设计
这个由五部分组成的培训视频系列将解释功率密度在现代电源供电解决方案中的重要性和价值。 显然需要提高功率密度,但是今天是什么限制了设计人员提高功率密度呢? 观看这个由五部分组成的培训系列,其中我们概述了如何通过检查高功率密度解决方案的四个关键方面以及支持这些特定要求的相关TI技术和产品来实现更高的功率密度。
最新C2000™实时控制芯片 — F28003X,帮您实现更低成本、更高电源功率密度和效率的设计
最新C2000™实时控制芯片 — F28003X,帮您实现更低成本、更高电源功率密度和效率的设计
课程时长:35:12
视频集数:1
标签: F28003X C2000 电源 功率密度 MCU
德州仪器C2000实时控制系列产品即将新添F28003X成员。 F28003X比F28002X/F28004X提供更高的运算性能以及更大的FLASH空间,结合C2K家族的高性能PWM, ADC等模块,可助力开发者实现包括GaN方案在内的更高开关频率,更高功率密度的工业和汽车产品设计,是一款高性价比的器件。
结合升降压拓扑和 USB Type C™ 供电,以实现最大功率密度
结合升降压拓扑和 USB Type C™ 供电,以实现最大功率密度
课程时长:46:01
视频集数:6
标签: BQ25790 BQ25792 TPS55288 TPS61288 升降压拓扑 USB Type-C 功率密度 电池充电
我们品类丰富的 USB Type-C® 器件和 PD 控制器具有 USB PD 功能,可为设计和实现符合全新标准的产品提供所需的灵活性和集成度。通过我们全面先进的设计资源和专业技术,简化您的设计过程并快速过渡到 USB Type-C。
功率密度、GaN 和 EMI 创新如何进一步推动电源管理
功率密度、GaN 和 EMI 创新如何进一步推动电源管理
课程时长:11:33
视频集数:1
标签: 功率密度 GaN EMI 电源管理 封装
新工艺、封装和电路设计技术使电源设计人员能够开发下一代集成电路 (IC) 和系统——尽管他们必须在设计周期中克服各种挑战。适用于任何应用的最佳功率器件具有更小的尺寸、更低的系统成本、更高的效率和更高的可靠性。与汽车电源设计服务总经理 Pradeep Shenoy 一起,了解三个宏观层面的电源管理趋势(功率密度、GaN 和 EMI)的创新如何帮助工程师做到这一点。
pin-to-pin 降压模块,加速上市时间并提高功率密度
pin-to-pin 降压模块,加速上市时间并提高功率密度
课程时长:17:02
视频集数:1
标签: pin-to-pin 降压模块 功率密度 TPSM33625 稳压器
在本次会议中,您将了解我们降压模块系列的最新版本,这些版本允许在一系列输入电压和输出电流范围内实现引脚对引脚兼容性。具体主题包括: • 使用降压模块解决方案与使用独立转换器的优势 • TPSM33625(36V Vin,2.5A Iout)和 TPSM365R6(65V Vin,600mA Iout)产品概览 • 降压模块技术的最新进展
电源工程师培训授证项目系列培训-GaN HEMT 器件的研究现状、特点及应用
电源工程师培训授证项目系列培训-GaN HEMT 器件的研究现状、特点及应用
课程时长:2:23:27
视频集数:10
讲师:徐驰
标签: 电源工程师 GaN HEMT 功率密度 电源管理
氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体,与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比,它可以实现更高的功率密度和效率。 这次直播将会介绍氮化镓 HEMT 器件的发展历程,特点以及应用实例等。
采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
课程时长:38:48
视频集数:1
标签: GaN 光伏逆变器 栅极驱动器 电源管理 功率密度
在本次直播中,我们将从第三代半导体氮化镓(GaN)技术切入,探讨 GaN 如何在光伏逆变器中助力实现更高的功率密度和效率,并缩小整体设计尺寸。借助 TI 新近推出的 100V 集成式 GaN 功率级器件——具有栅极驱动器的 GaN 半桥 LMG2100R044 和具有栅极驱动器的单个 GaN FET LMG3100R017,可实现超小的开关环路,超高的效率及更快的导通和关断速度。 此外,我们还将从光伏逆变器系统设计出发, 重点介绍微型逆变器和组串式逆变器两款参考设计,以满足其双向化趋势并适应 BESS 的需求。
提高 800V SiC 牵引逆变器效率和功率密度的主要设计注意事项
提高 800V SiC 牵引逆变器效率和功率密度的主要设计注意事项
课程时长:30:04
视频集数:3
标签: SiC 逆变器 功率密度 栅极驱动器 电动汽车
本系列视频深入探讨了推动电动汽车创新的主要趋势,以及先进牵引逆变器系统中的关键支持技术,包括功率级设计、微控制器、感应和信号链,还特别介绍了如何使用集成式栅极驱动器来改善牵引逆变器的性能和监控功能。
    10 条记录 1/1 页
TI培训小程序