标签:FET - 德州仪器（TI）官方视频课程培训

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适用于每个 FET 的 TI 栅极驱动器: 课程时长：46:04; 视频集数：4; 讲师：张巍; 标签： FET 栅极驱动器电源管理驱动电路隔离式驱动器; 本次直播中，我们将带您了解 TI 如何通过其众多系列的栅极驱动器简化驱动电路设计，包括从简单的低压侧驱动器到具有高级保护的隔离式驱动器。本演示文稿将重点介绍各个驱动系列及其应用实例及有用的 TI 官网材料。


栅极驱动器的设计陷阱以及如何解决: 课程时长：12:20; 视频集数：1; 标签：栅极驱动器电源管理电源开关 MOSFET 电路; 观看这个由两部分组成的视频系列，了解栅极驱动电路中常见的一些错误以及如何修复它们。


TID基础知识: 课程时长：52:03; 视频集数：3; 标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天辐射; 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。


运算放大器技术概述: 课程时长：38:47; 视频集数：1; 标签： OPA365 运算放大器 CMOS JFET放大器拓扑; CMOS，双极和JFET放大器有什么区别？什么时候应该使用另一个？什么时候应该使用没有输入交叉失真的放大器，输入交叉失真是什么？ Zero-Drift，Chopper和auto-zero放大器怎么样？本演示将帮助您了解如何根据拓扑类型快速选择合适的运算放大器。


如何以及为什么用负载开关替换分立MOSFET: 课程时长：21:51; 视频集数：1; 标签： MOSFET 负载开关分立功率开关分立解决方案功率开关; “你将学到什么：如何在原理图中识别分立功率开关解决方案使用分立解决方案的挑战负载开关如何为功率开关提供更好的性能，具有更多功能和更小的解决方案尺寸“


功率级：高性能参数和MOSFET和栅极驱动器的选择: 课程时长：9:45; 视频集数：1; 标签： MOSFET 栅极驱动器电机驱动无线电动工具; 了解无线电动工具中的电机驱动子系统，高性能参数以及MOSFET和栅极驱动器的选择，以在功率级中实现这些高性能参数。


如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性: 课程时长：24:38; 视频集数：1; 讲师：汪钢耀; 标签： UCC21521 碳化硅 MOSFET SiC材料太阳能电动汽车; 本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。


熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计: 课程时长：1:01:25; 视频集数：1; 讲师：张巍; 标签： UCC2751X UCC2771X UCC53XX TIDA-01160 PMP20873 MOSFET IGBT 栅极驱动电路寄生参数软开关; 本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响，对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别，也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。


读懂MOSFET数据手册: 课程时长：27:40; 视频集数：3; 标签： MOSFET 雪崩能量安全工作面积电源雪崩额定值; 讨论MOSFET 产品说明书。具体来说，将讨论雪崩额定值及其含义。


电子电路基础知识讲座: 课程时长：9:46:11; 视频集数：79; 讲师：傅强; 标签： MOSFET 斩波电路逆变电路隔离驱动二极管放大电路电源; 本次课程由TI邀请青岛大学傅强老师录制，深入浅出的介绍了与电源技术相关的基础性知识，帮助大家更深入的了解产品，更轻松的进行产品的选型和设计。

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