标签:FET - 德州仪器（TI）官方视频课程培训

课程时长：1:57

视频集数：1

标签： BQ76952 家庭储能电池管理 MOSFET 电池监测器

本参考设计是一个 16 节三元锂/磷酸铁锂电池串的低侧 N 沟道 MOSFET 控制的电池包参考设计，带有 BQ76952 电池监测器。它能够非常精确地监控各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子/磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。它采用低侧 N 沟道 MOSFET 架构，具有强大的驱动开关能力，带有 5A 双通道驱动器 UCC27524。通过精心设计的辅助电源控制策略和高效低静态电流DC/DC转换器 LM5163，本参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并允许更长的运输时间和空闲时间。

了解 MOSFET 数据表

课程时长：1:17:34

视频集数：5

标签： MOSFET 雪崩额定值安全工作区热阻抗栅极驱动器

当谈到 MOSFET 数据表时，您必须知道您在寻找什么。虽然某些参数是显而易见的和明确的（BV DSS、R DS(ON)、栅极电荷），但其他参数充其量可能是模棱两可的（ID、SOA 曲线），而其他参数有时可能完全没用（参见：开关时间）。在即将发布的这一系列博客文章中，我们将尝试揭开 FET 数据表的神秘面纱，以便读者可以轻松定位和辨别其应用中最常用的数据，而不会被多余的信息所困扰。阅读博客或观看视频。

BUF802：宽带宽、高输入阻抗 JFET 缓冲器

课程时长：3:39

视频集数：1

标签：示波器阻抗 JFET 缓冲器 BUF802

该视频重点介绍了使 BUF802 成为 TI 一流输入缓冲器的特性，以及作为基于 ASIC 和 FET 输入放大器的前端设计的出色单芯片替代品。本视频还提供了采用 BUF802 的示波器参考设计以及开发板演示。

电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择

课程时长：4:33

视频集数：1

标签：电源设计小贴士同步降压 MOSFET 电阻电源管理

电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择。

适用于每个 FET 的 TI 栅极驱动器

课程时长：46:04

视频集数：4

讲师：张巍

标签： FET 栅极驱动器电源管理驱动电路隔离式驱动器

本次直播中，我们将带您了解 TI 如何通过其众多系列的栅极驱动器简化驱动电路设计，包括从简单的低压侧驱动器到具有高级保护的隔离式驱动器。本演示文稿将重点介绍各个驱动系列及其应用实例及有用的 TI 官网材料。

栅极驱动器的设计陷阱以及如何解决

课程时长：12:20

视频集数：1

标签：栅极驱动器电源管理电源开关 MOSFET 电路

观看这个由两部分组成的视频系列，了解栅极驱动电路中常见的一些错误以及如何修复它们。

TID基础知识

课程时长：52:03

视频集数：3

标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天辐射

航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。