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如何以及为什么用负载开关替换分立MOSFET: 课程时长：21:51; 视频集数：1; 标签： MOSFET 负载开关分立功率开关分立解决方案功率开关; “你将学到什么：如何在原理图中识别分立功率开关解决方案使用分立解决方案的挑战负载开关如何为功率开关提供更好的性能，具有更多功能和更小的解决方案尺寸“


TID基础知识: 课程时长：52:03; 视频集数：3; 标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天辐射; 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。


如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性: 课程时长：24:38; 视频集数：1; 讲师：汪钢耀; 标签： UCC21521 碳化硅 MOSFET SiC材料太阳能电动汽车; 本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。


熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计: 课程时长：1:01:25; 视频集数：1; 讲师：张巍; 标签： UCC2751X UCC2771X UCC53XX TIDA-01160 PMP20873 MOSFET IGBT 栅极驱动电路寄生参数软开关; 本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响，对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别，也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。


读懂MOSFET数据手册: 课程时长：27:40; 视频集数：3; 标签： MOSFET 雪崩能量安全工作面积电源雪崩额定值; 讨论MOSFET 产品说明书。具体来说，将讨论雪崩额定值及其含义。


电子电路基础知识讲座: 课程时长：9:46:11; 视频集数：79; 讲师：傅强; 标签： MOSFET 斩波电路逆变电路隔离驱动二极管放大电路电源; 本次课程由TI邀请青岛大学傅强老师录制，深入浅出的介绍了与电源技术相关的基础性知识，帮助大家更深入的了解产品，更轻松的进行产品的选型和设计。


德州仪器电源新产品: 课程时长：21:22; 视频集数：1; 讲师：Jacky Zhang; 标签：电源德州仪器电源设计研讨会 PMBus MOSFET; 介绍TI最新的电源产品，包括Higher voltage/current integrated switchers，Packaging，PMBus ，Digital loops，Light load efficiency，Transient load response，Lower voltage outputs，Higher voltage MOSFET’s


电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件: 课程时长：7:35; 视频集数：1; 标签：电源设计分立器件 MOSFET 电源晶体管; 如何使用分立式晶体管代换集成性MOSFET驱动器。


电源设计小贴士28&29：估算热插拔MOSFET的瞬态温升: 课程时长：6:36; 视频集数：1; 标签：电源设计 MOSFET 瞬态温升电源热插拔; 介绍如何估算MOSFET上的瞬态温升。


Power Tip 31: 同步降压MOSFET电阻比的正确选择: 课程时长：4:33; 视频集数：1; 标签：电源 MOSFET 电阻电源管理同步降压; 如何正确选择同步降压MOSFET电阻比。

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