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有关“MOSFET”的课程有以下19条记录
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- 介绍热门功率半导体
- 课程时长：2:12
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- 标签： 功率半导体 Si-MOSFET IGBT GaN 栅极驱动器
- 本节将简要比较 Si-MOSFET、IGBT、Si-MOSFET 和 GaN 器件的主要差异，并强调栅极驱动器选择和设计考虑的重要性。
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- 如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性
- 课程时长：24:38
- 视频集数：1
- 讲师：汪钢耀
- 标签： UCC21521 碳化硅 MOSFET SiC材料 太阳能 电动汽车
- 本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。
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- 功率级：高性能参数和MOSFET和栅极驱动器的选择
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- 标签： MOSFET 栅极驱动器 电机驱动 无线 电动工具
- 了解无线电动工具中的电机驱动子系统，高性能参数以及MOSFET和栅极驱动器的选择，以在功率级中实现这些高性能参数。
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- 如何以及为什么用负载开关替换分立MOSFET
- 课程时长：21:51
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- 标签： MOSFET 负载开关 分立功率开关 分立解决方案 功率开关
- “你将学到什么： 如何在原理图中识别分立功率开关解决方案 使用分立解决方案的挑战 负载开关如何为功率开关提供更好的性能，具有更多功能和更小的解决方案尺寸“
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- 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
- 课程时长：1:01:25
- 视频集数：1
- 讲师：张巍
- 标签： UCC2751X UCC2771X UCC53XX TIDA-01160 PMP20873 MOSFET IGBT 栅极驱动 电路寄生参数 软开关
- 本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响，对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别，也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。
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- 高效 DC-DC 转换器的设计
- 课程时长：42:47
- 视频集数：1
- 标签： DC-DC转换器 开关器件 MOSFET 环路优化 稳压器
- 本次直播将带您一起深入了解DC-DC转换器的设计以及噪声和干扰抑制。主要包含内容： 1.优化开关器件MOSFET以减少损耗 2.增强系统的性能以及可靠性 3.环路优化及输入/输出电容选择 4.动态响应与轻载模式优化及TI宽压产品概览
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- 栅极驱动器的设计陷阱以及如何解决
- 课程时长：12:20
- 视频集数：1
- 标签： 栅极驱动器 电源管理 电源开关 MOSFET 电路
- 观看这个由两部分组成的视频系列，了解栅极驱动电路中常见的一些错误以及如何修复它们。
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- 电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择
- 课程时长：4:33
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- 电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择。
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- 基于 SiC 的三级三相并网逆变器
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- 标签： SiC 并网逆变器 处理器 数字电源 MOSFET
- 应用：串式逆变器、中央逆变器、电动汽车充电站、企业级存储系统（数据中心）、UPS 产品优势：通过 AM2634 controlCARD 实现数字电源控制，在 3us 内即可完成执行闭环数字控制。基于 SiC MOSFET 的 TNPC 逆变器可实现高效率并缩小尺寸。
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- TIDA-010216 - 基于BQ76952的低压家庭储能电池管理系统
- 课程时长：1:57
- 视频集数：1
- 标签： BQ76952 家庭储能 电池管理 MOSFET 电池监测器
- 本参考设计是一个 16 节三元锂/磷酸铁锂电池串的低侧 N 沟道 MOSFET 控制的电池包参考设计，带有 BQ76952 电池监测器。它能够非常精确地监控各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子/磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。它采用低侧 N 沟道 MOSFET 架构，具有强大的驱动开关能力，带有 5A 双通道驱动器 UCC27524。通过精心设计的辅助电源控制策略和高效低静态电流DC/DC转换器 LM5163，本参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并允许更长的运输时间和空闲时间。
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- TID基础知识
- 课程时长：52:03
- 视频集数：3
- 标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射
- 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。
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- 德州仪器电源新产品
- 课程时长：21:22
- 视频集数：1
- 讲师：Jacky Zhang
- 标签： 电源 德州仪器 电源设计研讨会 PMBus MOSFET
- 介绍TI最新的电源产品，包括Higher voltage/current integrated switchers，Packaging，PMBus ，Digital loops，Light load efficiency，Transient load response，Lower voltage outputs，Higher voltage MOSFET’s
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- 主流功率半导体简介
- 课程时长：2:03
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- 标签： 功率半导体 Si-MOSFET IGBT GaN 栅极驱动器
- 本节将简要比较 Si-MOSFET、IGBT、Si-MOSFET 和 GaN 器件的主要区别，并强调栅极驱动器选择和设计注意事项的重要性。
