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有关“GaN”的课程有以下27条记录
具有 GaN 和 C2000™ 实时 MCU 的 6.6kW 双向板载充电器演示
具有 GaN 和 C2000™ 实时 MCU 的 6.6kW 双向板载充电器演示
课程时长：1:35
视频集数：1
标签： GaN C2000 MCU 充电器 电源管理
此设计有助于使用 C2000 实时 MCU 和 TI GaN 减小板载充电器的尺寸。该参考设计板特点是： - 经过成本优化的全新 C2000 实时 MCU： F28003x - 业界较早采用 LMG3522R030-Q1 的汽车 GaN FET，具有集成驱动器、保护、报告和主动电源管理 - 顶部冷却表面贴装封装，简化生产和散热交流/直流 (PFC)：120khz，直流/直流；250khz - 800khz - HRPWM 可实现更快的切换 - 模拟集成可节省成本、缩小尺寸并提高效率 - 模拟集成简化了有源同步整流实现，可实现高效率 - 高开关频率操作可减少 59% 的功率级磁性 - 功率密度比现有解决方案高 2 倍
功率密度、GaN 和 EMI 创新如何进一步推动电源管理
功率密度、GaN 和 EMI 创新如何进一步推动电源管理
课程时长：11:33
视频集数：1
标签： 功率密度 GaN EMI 电源管理 封装
新工艺、封装和电路设计技术使电源设计人员能够开发下一代集成电路 (IC) 和系统——尽管他们必须在设计周期中克服各种挑战。适用于任何应用的最佳功率器件具有更小的尺寸、更低的系统成本、更高的效率和更高的可靠性。与汽车电源设计服务总经理 Pradeep Shenoy 一起，了解三个宏观层面的电源管理趋势（功率密度、GaN 和 EMI）的创新如何帮助工程师做到这一点。
GaN 技术的影响及其对未来工业设计的意义
GaN 技术的影响及其对未来工业设计的意义
课程时长：7:42
视频集数：1
标签： GaN 工业设计 电源管理 氮化镓 电源
加入 TI 的 Steve Tom 和 Delta Electronics 的 Kai Dong 博士之间的对话，他们将讨论 GaN 技术的影响及其对未来工业设计的意义。
GaN 在电动汽车充电站和储能逆变器中的应用
GaN 在电动汽车充电站和储能逆变器中的应用
课程时长：1:22:28
视频集数：6
标签： GaN 电动汽车 充电站 储能逆变器 ANPC 中文配音
本系列视频介绍了GaN 在电动汽车充电站和储能逆变器中的应用。
使用 GaN 驱动器突破速度极限
使用 GaN 驱动器突破速度极限
课程时长：2:09
视频集数：1
标签： GaN 驱动器 电源设计 氮化镓 电源管理
观看此视频，了解德州仪器 (TI) 业界领先的氮化镓 (GaN) 驱动器如何优化您的下一个电源设计。
GaN FET 技术比较
GaN FET 技术比较
课程时长：7:05
视频集数：2
标签： GaN FET 氮化镓 电源管理
本视频将简要介绍 GaN，展示 GaN 与其他技术的比较，介绍一些可带来优势的功能，并告诉您如何利用 GaN 的优势。
GaN 晶体管的命名法、类型和结构
GaN 晶体管的命名法、类型和结构
课程时长：7:35
视频集数：2
标签： GaN 氮化镓 晶体管 电源管理 FET
在 GaN 功率开关基础知识视频的第 1 部分中，我们将简要介绍 GaN 的优点、GaN 晶体管命名法、GaN FET 的类型和基本结构。
GaN FET 注意事项
GaN FET 注意事项
课程时长：7:56
视频集数：2
标签： GaN 氮化镓 FET 电源管理 驱动
该视频将介绍 GaN FET 的一些优点、结构优势以及一些驱动要求。
GaN 如何实现更高效、更紧凑的电源
GaN 如何实现更高效、更紧凑的电源
课程时长：10:01
视频集数：2
标签： GaN 氮化镓 功率开关 电源管理 功率损耗
在 GaN 功率开关基础视频的第 3 部分中，我们将介绍功率晶体管损耗的类型、GaN 如何降低这些功率损耗，以及 GaN 降低外形尺寸的一些方法。
GaN FET 的关键参数
GaN FET 的关键参数
课程时长：6:44
视频集数：2
标签： GaN 氮化镓 FET 电源管理 寄生组件
在参数和设计建议视频的第 1 部分中，我们将介绍 GaN 提供的参数优势、其寄生组件及其优势。
GaN 驱动器原理图提示
GaN 驱动器原理图提示
课程时长：13:07
视频集数：2
标签： GaN 氮化镓 栅极驱动器 电源管理
该视频将介绍半桥和低侧驱动器的典型原理图，并涵盖使用 GaN 栅极驱动器时推荐的组件。 
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