交流/直流和隔离式直流/直流开关稳压器
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接下来我们继续讨论
隔离 DC/DC 变换器的设计
以下是我们列举的几个
常见的备选拓扑
对于反激而言
通常用于功率小于一百瓦的场合
因为它的效率比较低
而且原副边的峰值电流都比较大
原边开关管的应力也比较高
虽然整体的元器件比较少
成本比较低
但是不适合我们这个功率级别的应用
第二种拓扑是半桥
它的开关应力比较小
但是需要高端的驱动
而且为了保持变压器磁通的平衡
只能采用电压模式控制
最终我们选择的拓扑是双管正激
跟半桥一样
它的开关管应力等于输入电压
与半桥不同的是
双管正激只需要占空比小于 50%
变压器磁通就可以自动复位
这是一个双管正激的简单示意图
两个开关管是同开同关的
开通的时候
输入电压加在变压器的两端
变压器将能量从输入传递到输出
关断的时候第一和第二
将变压器的能量重新送回输入端
同时将两个管子的电压钳位在 Vin
值得注意的是
由于我们这里采用的是高端驱动
需要对上管驱动的自举电容进行充电
通常只有一个开关节点的拓扑
比如说半桥
在每个开关周期
上管的自举电容在下管导通的时候
都会自动被充电
因为这个时候开关节点
已经被短路到地了
VCC 通过自举二极管
对自举电容进行充电
但是对于双管正激
还有两个开关节点
SW1 和 SW2 中间隔着变压器
只有当 SW1 的电压变为零的时候
自举电容才有机会充电
此时两个开关管是关断的
需要足够大的励磁电流
将 Q1 上面的输出电容
和变压器的寄生电容
上面的电压放掉
正常情况下
在开关管关断时间内
变压器的励磁电流
足够将这些电容上的能量放完
使 SW1 降为零
但是在某些情况下
比如说轻载或者是跳频工作模式下
导通时间比较小
则变压器在导通时间内
存储的能量不足以释放电容上的能量
如右下角的波形所示
在这种情况下
自举电容是无法完成充电的
为了解决这个问题
我们通过右边这个电路
来帮助自举电容完成充电
这个电路的作用是
在开关管关断之后
延迟一段时间
把开关节点上的电压放掉
把 SW1 下拉到零
从而实现了任何输入电压
和负载条件下
自举电容都能再充电
在这个电路里面
D22 和 R68 以及 C51
组成了一个延时电路
来使 Q11 在谷底开通
降低开关损耗
其中 R68 和 C51
可以通过这个公式来计算
接下来我们来看看如何选取电容
假设穿越频率设置在 5k
根据我们前面的测试
为了保证 THD 小于 0.016%
输出阻抗必须小于两欧姆
根据这个公式我们可以算出来
最小的一个输出电容是 16uF
但是我们要必须满足一些动态跳变的要求
根据之前所提到的
我们功放的正常输入电压为 36 伏
最高输入电压为 38 伏
在限幅之前的最大占空比为 95%
根据这些信息我们可以求得
最大的过冲和下跌电压
然后根据前面给的电容的计算公式
可以算出相应的
所需要的电容量为 321uF 和 164uF
我们根据这三个公式算出来的电容量
选择其中的最大值
下面我们讨论一下环路补偿的问题
对电流模式的环路补偿
通常二型补偿就足够了
我们把零点放在 184Hz
极点放在 184kHz
得到了下面这个波特图
可以看到它的穿越频率大概在 4.5kHz
相位裕量超过 60 度
另外我们加了蓝色这部分电路
用于实现 G 类功放模式来降低功耗
由于电源电压在某些情况下
比如说温度过高的时候
会从 36 伏切换到 18 伏
那么由于输出电压的降低
电压降低一半
输出功率只有原来的 1/4
实际上就限制了它的功率
这种限制功率做法避免了将整个系统关掉
根据前面的计算
我们采用了三个一百微法的电解电容
和一个十微法的瓷片电容并联
来减小 ESR 和 ESL 的影响
根据下面几个公式
我们可以算出输出阻抗
然后理论上电压的跌落等于
跳变电流变化量乘以输出阻抗
在这里我们算出的是 862mV
实际测试中电压跌落接近 1V
这是最终的测试结果
从效率曲线可以看出
当功率小于 50 瓦的时候
进入 G 类功放模式效率开始提高
大概能提高十个点
这边蓝色的效率曲线是
G 类功放的效率曲线
红色的是固定输出电压时
D 类功放的效率曲线
放在这里作为对比
左边的两张图是 THD 在不同功率下
和不同频率下的测试曲线
红色的是用实验室标准电源作为测试参考
蓝色是我们参考设计 PMP10215
工作在固定电压的 THD 曲线
绿色是它工作在 G 类功放模式的 THD 曲线
与实验室的标准电源相比
我们的参考设计
在性能上几乎没有任何逊色
在很宽的频率和负载范围下
都能实现 THD 小于 0.016%
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