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TI-RSLK 模块17 - 控制系统: 课程时长：27:28; 视频集数：3; 讲师：Dr. Jon Valvano; 标签： TI-RSLK 控制系统机器人传感器传动器; 此模块的目的是通过将传感器与传动器相结合来创建控制系统。增量控制和积分控制是控制电机速度的简单算法。


TI-RSLK 模块 19 - 低功耗蓝牙: 课程时长：41:18; 视频集数：5; 讲师：Dr. Jon Valvano; 标签： TI-RSLK 低功耗蓝牙机器人 BLE 异步收发器; 此模块的目的是介绍低功耗 Bluetooth® (BLE) 的基本概念。您将使用通用异步收发器 (UART) 通信将 TI SimpleLink™ BLE CC2650 模块 BoosterPack™ 插件模块连接到 SimpleLink MSP432P401R LaunchPad™ 开发套件。您将创建具有多种特性的 BLE 服务，并设计可由智能设备使用 BLE 控制的机器人系统。


TI 精密放大器在测试医疗领域的应用: 课程时长：1:13:53; 视频集数：4; 讲师：Leon Xin 信本伟; 标签：精密放大器医疗电子 OpAmp 测试测量 TI; 想深入了解 TI 精密放大器在测试医疗领域的应用？赶快来参加我们的 TI 精密放大器在线直播吧！我们邀请了 TI 业务发展经理，介绍 TI 精密放大器产品的技术优势，探讨精密放大器产品在测试医疗领域的典型应用。帮助您轻松实现产品方案设计，核心技术和难点。主要讲解： 1.结合市场相关精密放大器的不同结构, 指标和权衡 2.介绍 TI 在测试/医疗领域参考设计，及主要挑战和系统设计考虑 3.目前 TI 在测试/医疗领域主推的产品介绍


TI 全新一代宽输入降压芯片详解: 课程时长：54:33; 视频集数：6; 讲师：黄陆建; 标签：宽输入降压芯片电源管理电源电源设计 TI; 本次课程将介绍宽输入降压芯片概念，应用场景以及亮点的剖析。


MSP430 FRAM and CapTIvate 电容触控技术: 课程时长：1:42:15; 视频集数：4; 讲师： CS Hsieh, Luke Chen; 标签： MSP430 FRAM CapTIvate 电容触控技术 PCB设计 MSP430FR2633; 介绍了基本PCB设计实践；申请权衡；噪声抗扰度和EMC挑战简介以及CapTlvate外设功能；抗噪声设计过程。


TIDA-050007 超低功耗真无线耳机盒电源管理方案: 课程时长：5:33; 视频集数：1; 讲师：Li, Jasper; 标签： TIDA-050007 无线耳机盒电源管理低功耗充电; 视频介绍参考设计的设计目标，系统框图，以及测试结果。


TIDA-01040 大电流电池测试设备参考方案: 课程时长：4:55; 视频集数：1; 讲师：Li, Jasper; 标签： TIDA-01040 电池测试大电流电源电池管理; 视频介绍参考设计电路的设计框图，工作原理，仿真和测试结果。


TI 高精度实验室 - 隔离: 课程时长：1:01:52; 视频集数：6; 标签： TI 高精度实验室隔离栅极驱动器隔离放大器隔离调制器模拟工程师; TI Precision Labs是电子行业最全面的模拟工程师在线课堂。按需课程和教程将理论和应用练习结合起来，以加深经验丰富的工程师的技术专业知识，并加速他们职业生涯早期的发展。这种模块化的按需课程包括实践培训视频，涵盖TI在线课程作业和测验的隔离设计考虑因素。隔离课程被分为主要的主题学习类别，每个类别包含简短的培训视频，多项选择测验和简答题练习。新内容将继续添加到本系列中，因此请务必查看此页面以获取最新的隔离课程！


高压隔离技术的工作原理: 课程时长：24:00; 视频集数：3; 标签：高压隔离技术隔离可靠性测试电容隔离 TI高压实验室; 想了解高压隔离技术的工作原理吗？观察并了解隔离的可靠性测试。该系列视频在TI的高压实验室中拍摄，主要关注电容隔离结构，工作电压可靠性，耐压能力，可靠性测试方法等。


TINA-TI（TM）系列课程: 课程时长：59:28; 视频集数：8; 标签： TINA-TI TM模拟器 ERC 图形用户界面 GUI; 在此视频中，介绍了如何获取TINA-TI软件，如何安装，如何使用最新内容进行更新以及快速查看图形用户界面（GUI）的说明。


TID基础知识: 课程时长：52:03; 视频集数：3; 标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天辐射; 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。

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