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TID基础知识

发布时间:2019.03.11 视频集数:3 课程总时长:52:03 标签: TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射

航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量(TID),也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介​​电层中产生过量电荷时,引起总剂量效应。总剂量效应是累积的,并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此,卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害,因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的,但是空穴(带正电的原子)必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导(关断)状态切换到高电导(导通)状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移,使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流,导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品,这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。

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