氮化镓 (GaN) IC
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基于TI GaN的优化型临界模式功率因数校正控制
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未学习 基于TI GaN的优化型临界模式功率因数校正控制
视频简介
基于TI GaN的优化型临界模式功率因数校正控制
所属课程：基于TI GaN的优化型临界模式功率因数校正控制
发布时间：2024.10.16
视频集数：1
本节视频时长：00:40:29
本主题将介绍氮化镓 (GaN) 优化型功率因数校正 (PFC) 拓扑和控制方法，用于实现高性能、高密度和具有成本效益的 PFC。采用新的零电压检测电路和算法，可在整个线路周期和负载范围内增强零电压开关和降低总谐波失真 (THD)。功率密度为 120W/in3 且 THD 低于 6% 的 5kW 原型可作为概念验证，用于演示启动、瞬态响应和交流压降的理想控制方法。
