氮化镓 (GaN) IC

基于TI GaN的优化型临界模式功率因数校正控制

发布时间：2024.10.16 视频集数：1 课程总时长：40:29 标签： GaN 功率因数校正氮化镓 PFC 电源管理

本主题将介绍氮化镓 (GaN) 优化型功率因数校正 (PFC) 拓扑和控制方法，用于实现高性能、高密度和具有成本效益的 PFC。采用新的零电压检测电路和算法，可在整个线路周期和负载范围内增强零电压开关和降低总谐波失真 (THD)。功率密度为 120W/in3 且 THD 低于 6% 的 5kW 原型可作为概念验证，用于演示启动、瞬态响应和交流压降的理想控制方法。

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