直流扫描分析

本视频以 MOSFET 电路为例，

在 PSpice 中使用 直流嵌套扫描来确定

电路的输出电压特性。

首先，为电路创建 一个新的仿真配置文件。

将配置文件命名为“DC sweep”， 然后点击“Create”按钮。

此时将打开 “Simulation Settings”GUI。

在“Analysis Type”的 下拉列表中选择“DC Sweep”。

PSpice 中的直流扫描分析

支持扫描电压或电流源、

全局参数、模型参数或

各种温度值。

针对此示例电路， 我们将漏源电压 VDS

从 0 伏升至 10 伏， 增量为 100 毫伏。

要创建嵌套扫描，请点击 “Secondary Sweep”选项

并将直流输入电压源 VGS

从 0 伏升至 5 伏， 增量为 0.5 伏。

点击“OK”保存仿真设置。

在 MOSFET 的漏极端子上 添加一个电流标记。

这样，在执行仿真后， 能够绘制随着栅源电压

不断变化，x 轴上的漏源电压

与 y 轴上的漏极电流的

关系图。

点击此图标来运行仿真。

此处显示的波形展示了 MOSFET 的不同工作区域，

即欧姆值、饱和和截止区域。

这代表了 MOSFET 的

输出特性曲线。

现在，您可以使用 PSpice

成功执行直流嵌套扫描。

本视频以 MOSFET 电路为例，

在 PSpice 中使用 直流嵌套扫描来确定

电路的输出电压特性。

首先，为电路创建 一个新的仿真配置文件。

将配置文件命名为“DC sweep”， 然后点击“Create”按钮。

此时将打开 “Simulation Settings”GUI。

在“Analysis Type”的 下拉列表中选择“DC Sweep”。

PSpice 中的直流扫描分析

支持扫描电压或电流源、

全局参数、模型参数或

各种温度值。

针对此示例电路， 我们将漏源电压 VDS

从 0 伏升至 10 伏， 增量为 100 毫伏。

要创建嵌套扫描，请点击 “Secondary Sweep”选项

并将直流输入电压源 VGS

从 0 伏升至 5 伏， 增量为 0.5 伏。

点击“OK”保存仿真设置。

在 MOSFET 的漏极端子上 添加一个电流标记。

这样，在执行仿真后， 能够绘制随着栅源电压

不断变化，x 轴上的漏源电压

与 y 轴上的漏极电流的

关系图。

点击此图标来运行仿真。

此处显示的波形展示了 MOSFET 的不同工作区域，

即欧姆值、饱和和截止区域。

这代表了 MOSFET 的

输出特性曲线。

现在，您可以使用 PSpice

成功执行直流嵌套扫描。