氮化镓 (GaN) IC
最新课程
- 基于TI GaN的优化型临界模式功率因数校正控制
- 跨电感稳压器 (TLVR) 简介
- 功率变换器数字控制系统设计-下
- 功率变换器数字控制系统设计-上
- 数字电源控制介绍
- 德州仪器0.78"/0.8" DMD 全新 HEP 像素和先进 DLP® 封装技术赋能专业显示和工业应用
- 使用 MSPM0 AEC-Q100 MCU 设计更智能的汽车系统
- TI 电源培训授证项目-在线答疑专题 Q&A
- 高压研讨会
- 采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
热门课程
采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
Loading the player...
手机看
收藏本课程
扫码用手机观看
视频简介
采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
所属课程:采用 TI GaN 技术提升光伏逆变器设计
发布时间:2024.09.02
视频集数:1
本节视频时长:00:38:48
在本次直播中,我们将从第三代半导体氮化镓(GaN)技术切入,探讨 GaN 如何在光伏逆变器中助力实现更高的功率密度和效率,并缩小整体设计尺寸。借助 TI 新近推出的 100V 集成式 GaN 功率级器件——具有栅极驱动器的 GaN 半桥 LMG2100R044 和具有栅极驱动器的单个 GaN FET LMG3100R017,可实现超小的开关环路,超高的效率及更快的导通和关断速度。
此外,我们还将从光伏逆变器系统设计出发, 重点介绍微型逆变器和组串式逆变器两款参考设计,以满足其双向化趋势并适应 BESS 的需求。