氮化镓 (GaN) IC
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650V GaN FET 用于 800V 电源转换器的优势
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视频简介
650V GaN FET 用于 800V 电源转换器的优势
所属课程：高压研讨会
发布时间：2024.09.10
视频集数：12
本节视频时长：00:26:36
凭借更好的开关品质因数，650V GaN 器件已在具有 400V 直流链路电压和高达 6.6 kW 功率水平的电力电子转换器中展示了其优势。然而，太阳能逆变器、测试和测量以及 HEV/EV 动力系统车载充电器等各种工业和汽车应用对高压 (>800V) 和大功率 (22kW) 转换器的需求日益增加。650V GaN 器件如何在更高电压 (>800V) 直流链路系统中实现？在这些系统中，650V GaN FET 与市场上其他 1200V 器件（如 SiC MOSFET 和 Si IGBT）相比，能带来哪些竞争优势？您将在本次演讲中深入了解 GaN 的卓越开关品质因数 (FoM)，并了解在 >800-V 转换器中巧妙利用 650-V 器件的电源架构。我们将展示 GaN 的开关 FoM 的测量结果，并与竞争器件进行比较，说明这些转换器的优势。另外还会展示令人信服的多电平转换器参考设计，突出在 HEV/EV 动力总成、电网基础设施、测试和测量以及电力输送终端设备中的适用性。
