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1.3 驱动器子系统设计
大家好
接下来我们对
我们这个电源系统的一个驱动部分
来进行一个设计的一个介绍
首先我们所采用的 UCC29950 这个芯片
它是可以直接对我们 PFC 的MOS 管
进行驱动
另外额外的驱动芯片呢
我们在 LLC 主管方面呢
我们可以选用 UCC27714
这是 TI 所开发的第一款
高压的一个 MOSFET driver
高压的一个 MOSFET driver
它需要一个额外的一个
VCC 电压的一个供应
或者呢我们选用一个驱动变压器
驱动变压器呢
一是比较简单
另外成本也比较低
它不需要额外的自举电容和二极管
但是呢
变压器必须要经过非常仔细的一个
选择和设计
我们 UCC29950 呢
不管是在开始还是在结束发布的时候
它的固定的占空比都是一半的
1/2的占空比
1/2的占空比
这样呢就能保证我们驱动
为了保障变压器的一个
磁通的一个平衡
这是我们这边的一个
所发布的一个波形
当我们选用 UCC27714
这个高压的驱动芯片呢
我们有以下的一些注意要点
第一就是我们整个芯片的一个供电
供电电源的去耦电容 CVDD
要大于10倍的 CBOOT 自举电容
第二呢
我们的 VCDD 和 CBOOT 都要非常接近
这个 IC 这个芯片
图示这个二极管是为我们
自举电容的充电提供回路
我们可以串一个 2Ω 到 4Ω 的一个电阻
可以限制我们通过二极管的电流
这是我们
这是一张我们所选用的肖特基二极管
和同步整流 MOS 管的一个对比
数据的一个对比
这张图呢是我们左边这个
肖特基二极管的一个伏安特性
通过对比
因为我们的系统是低压大电流
我们选取一个 Rdson 非常小的一个电阻
当我们采取同步整流方式的时候
我们在同步整流上所产生的损耗
就会比采用肖特基二极管就要小很多
同时呢
我们为了尤其是用于低压的应用
我们可以实现一个高效的一个要求
我们同步整流部分的驱动的实现
是通过检测
通过同步整流 MOS 管的一个 VDS
来对通过同步整流管
进行自驱动的一个控制
我们通过检测 MOS 管的 VDS
当 VDS 下降到内部的设的门限电压
VTH(ON) 的时候
我们就开通 MOS 管
当检测到 VDS 上升到 VTH(OFF) 的时候
我们就关断 MOS 管
另外我们这个地方要特别说明
因为我们是用的 LLC 这个拓扑
所以流经谐振腔里面的电流都是交流的
所以我们整流部分的波形
也是半波的正弦
这样呢
当我们在通过电流非常小的时候呢
我们检测的 VDS 是非常小的
芯片有可能认为这个是过零而关断
而及早地关断 SR
为了避免关断呢
一个最小的一个 on-time 时间
是需要内部设置的
以便呢知道我们
保证了我们的电流
上升到对应的 VDS 电压大于 VTH(ON)
谢谢大家
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