DLP技术DMD数据表 - 热特性规格

今天，我要讨论 热规格和 DMD

数据表。

在所提供的示例中， 我将使用一个特定的 DMD，

但其概念适用于 所有 DMD。

本视频中 演示的信息

可以在德州仪器 TI.com.cn 上提供的

相应 DMD 数据表中找到。

首先，我们要介绍 从哪里入手进行讲解

以及在哪里可以 找到此信息。

随后，我会介绍 数据表中的绝对最大值、

建议的工作条件 和存储条件等

部分。

我将介绍 封装热阻、

热电偶测试点， 并带您了解

用来计算阵列 温度的热计算

方法。

最后，我会谈谈 散热接口面积

注意事项。

首先，下载适合您的 特定应用的 DMD

数据表。

访问 TI.com/dlp 并选择 适合您的应用的

DMD。

我要选择的是 DLP470TE，

它是标准芯片组产品 系列中的一个

0.47 4K UHD DMD。

本次演示中的 信息适用于

其他所有 DMD。

不过，个别的 参数和规格

可能有所不同。

下载好 数据表之后，

请滚动到目录。

所有数据表都 包含绝对最大值

和建议的 工作条件规格。

请务必注意， 必须在建议的

条件规格下 运行，

才能确保获得完整的 DMD 功能和可靠性。

禁止在符合 最大条件，

但超出建议条件范围 的条件下运行

最终产品， 此操作只能

用来执行 加速寿命测试。

最后，超出绝对 最大额定值运行

会对部件造成永久的 不可逆损坏，

因此绝对禁止这种做法。

存储条件规格 适用于

DMD 闲置时的 任意时间段。

这包括

DMD 在组装进产品之前 作为组件进行存储的时间、

在销售给 最终用户前

存在于 成品中的时间，

以及从开始存在于 最终产品中

到产品开始运行 之间的时间。

根据所采用的 封装技术，

有些 DMD 具有 露点规格。

露点衡量的是 空气中的总湿度，

代表温度 和相对湿度的

组合。

在此示例中， DLP 470TE 可以

在露点介于 28 到 36 摄氏度的

环境中存放 最多 24 个月。

此外，在产品的 使用寿命内，

平均露点 不得超过

28 摄氏度。

当设计以及在 预期的用例中

测试 DMD 时， 应使用建议的

工作条件 规格。

有些 DMD 指定了 长期和短期

工作温度。

长期工作 温度又称额定温度，

适用于 DMD 的 整个生命周期。

此外，有些 DMD 可承受短期工作温度，

但只能持续 较短的时间。

额定温度 无法直接测得，

但可以利用 在封装背面

测得的温度和 用例的其他相关信息

计算出来。

在本次演示中，我们将 介绍此计算方法。

窗口温度可以 通过连接到

数据表中所示 位置的窗口边缘

或窗口框架的 热电偶测得。

可以直接将 此温度与规格

进行比较，而无需 执行其他计算。

最后，T Δ 是 窗口测试点

与陶瓷测试点 之间的温差。

由于这一规格 是绝对值，

因此窗口温度不能 比封装背面的温度

高 14 摄氏度以上， 陶瓷温度

不能比窗口温度 高 14 摄氏度以上。

每个 DMD 的规格 通常各不相同，

因此，一定要 参阅适用于

您希望使用的 DMD 的数据表。

所有 DMD 都有 一个热阻，

热阻指 有源微镜阵列

与封装背面的测试点 TP1 的比值。

这与有时为 其他半导体

封装提供的 θ JC 相似。

此封装电阻 假设整个阵列

照明均匀。

对于只有 部分微镜

有照明或

照明非常 不均匀的应用，

此封装电阻 将有所不同。

数据表中的 封装电阻

适用于大多数 投影应用。

稍后，我们将在 用于举例

说明的计算示例中使用封装热阻。

窗口和封装背面上 都定义了

标准热电偶 测试点位置。

这些位置用于 通过直接测量或

通过利用测量位置 执行计算来确保

符合温度规格。

一种便捷的 温度测量方法是

将热电偶连接到 这些测量点。

建议使用 36 号 或更细的热电偶导线，

以确保最大限度 减少导通损耗

并确保测量 结果准确。

T 型和 K 型热电偶 是最常见的两种

使用热铜线的热电偶。

DMD 上的 总热负荷是

电功率耗散与 光学吸收的热负荷

之和。

将屏幕极限值 与数据表中

提供的换算 系数相乘，

即可得出光学 吸收的热负荷。

对于不同的 DMD， 此换算系数可能有所不同，

因此一定要查阅 您所用 DMD 的

数据表。

知道 DMD 的总热负荷 为 11.54 瓦之后，

我们就可以计算 阵列温度了，

方法是将 DMD 总功率

乘以热阻，

再加上在 测试点 1 处测得的

陶瓷温度测量结果。

在本例中， 阵列温度为

65.4 摄氏度，

处于该器件的建议 工作规格范围内。

在某些情况下， 可以使用

计算光学吸收 热负荷的功率基本公式。

示例包括不适合 使用流明描述的

UV 和 IR 波长应用、 双芯片和三芯片应用，

以及给定的 流明水平

根据 DMD 热负荷不同 而产生显著变化的

固态照明源。

最终结果是 DMD 总功率 QARRAY，

无论是使用 基于流明还是

基于功率的公式。

大多数 DMD 都要通过 连接到封装背面的散热器

进行冷却。

一定要尽可能 扩大接触面积，

以便通过焊盘 或导热油脂接口

减小热阻。

热接触销的 大小

可以接近电气 中介层中的开口

减去机械裕度之后的大小。

虽然很多 DMD 的封装 背面都有黄金焊盘，

但这只是用作 DMD 的符号。

在多数情况下， 可用的散热接口面积

都会大于此黄金焊盘。

关于 DMD 数据表 散热注意事项的课程

到此结束。

如有其他问题 或需要帮助，

请访问 TI.com/DLP。

今天，我要讨论 热规格和 DMD

数据表。

在所提供的示例中， 我将使用一个特定的 DMD，

但其概念适用于 所有 DMD。

本视频中 演示的信息

可以在德州仪器 TI.com.cn 上提供的

相应 DMD 数据表中找到。

首先，我们要介绍 从哪里入手进行讲解

以及在哪里可以 找到此信息。

随后，我会介绍 数据表中的绝对最大值、

建议的工作条件 和存储条件等

部分。

我将介绍 封装热阻、

热电偶测试点， 并带您了解

用来计算阵列 温度的热计算

方法。

最后，我会谈谈 散热接口面积

注意事项。

首先，下载适合您的 特定应用的 DMD

数据表。

访问 TI.com/dlp 并选择 适合您的应用的

DMD。

我要选择的是 DLP470TE，

它是标准芯片组产品 系列中的一个

0.47 4K UHD DMD。

本次演示中的 信息适用于

其他所有 DMD。

不过，个别的 参数和规格

可能有所不同。

下载好 数据表之后，

请滚动到目录。

所有数据表都 包含绝对最大值

和建议的 工作条件规格。

请务必注意， 必须在建议的

条件规格下 运行，

才能确保获得完整的 DMD 功能和可靠性。

禁止在符合 最大条件，

但超出建议条件范围 的条件下运行

最终产品， 此操作只能

用来执行 加速寿命测试。

最后，超出绝对 最大额定值运行

会对部件造成永久的 不可逆损坏，

因此绝对禁止这种做法。

存储条件规格 适用于

DMD 闲置时的 任意时间段。

这包括

DMD 在组装进产品之前 作为组件进行存储的时间、

在销售给 最终用户前

存在于 成品中的时间，

以及从开始存在于 最终产品中

到产品开始运行 之间的时间。

根据所采用的 封装技术，

有些 DMD 具有 露点规格。

露点衡量的是 空气中的总湿度，

代表温度 和相对湿度的

组合。

在此示例中， DLP 470TE 可以

在露点介于 28 到 36 摄氏度的

环境中存放 最多 24 个月。

此外，在产品的 使用寿命内，

平均露点 不得超过

28 摄氏度。

当设计以及在 预期的用例中

测试 DMD 时， 应使用建议的

工作条件 规格。

有些 DMD 指定了 长期和短期

工作温度。

长期工作 温度又称额定温度，

适用于 DMD 的 整个生命周期。

此外，有些 DMD 可承受短期工作温度，

但只能持续 较短的时间。

额定温度 无法直接测得，

但可以利用 在封装背面

测得的温度和 用例的其他相关信息

计算出来。

在本次演示中，我们将 介绍此计算方法。

窗口温度可以 通过连接到

数据表中所示 位置的窗口边缘

或窗口框架的 热电偶测得。

可以直接将 此温度与规格

进行比较，而无需 执行其他计算。

最后，T Δ 是 窗口测试点

与陶瓷测试点 之间的温差。

由于这一规格 是绝对值，

因此窗口温度不能 比封装背面的温度

高 14 摄氏度以上， 陶瓷温度

不能比窗口温度 高 14 摄氏度以上。

每个 DMD 的规格 通常各不相同，

因此，一定要 参阅适用于

您希望使用的 DMD 的数据表。

所有 DMD 都有 一个热阻，

热阻指 有源微镜阵列

与封装背面的测试点 TP1 的比值。

这与有时为 其他半导体

封装提供的 θ JC 相似。

此封装电阻 假设整个阵列

照明均匀。

对于只有 部分微镜

有照明或

照明非常 不均匀的应用，

此封装电阻 将有所不同。

数据表中的 封装电阻

适用于大多数 投影应用。

稍后，我们将在 用于举例

说明的计算示例中使用封装热阻。

窗口和封装背面上 都定义了

标准热电偶 测试点位置。

这些位置用于 通过直接测量或

通过利用测量位置 执行计算来确保

符合温度规格。

一种便捷的 温度测量方法是

将热电偶连接到 这些测量点。

建议使用 36 号 或更细的热电偶导线，

以确保最大限度 减少导通损耗

并确保测量 结果准确。

T 型和 K 型热电偶 是最常见的两种

使用热铜线的热电偶。

DMD 上的 总热负荷是

电功率耗散与 光学吸收的热负荷

之和。

将屏幕极限值 与数据表中

提供的换算 系数相乘，

即可得出光学 吸收的热负荷。

对于不同的 DMD， 此换算系数可能有所不同，

因此一定要查阅 您所用 DMD 的

数据表。

知道 DMD 的总热负荷 为 11.54 瓦之后，

我们就可以计算 阵列温度了，

方法是将 DMD 总功率

乘以热阻，

再加上在 测试点 1 处测得的

陶瓷温度测量结果。

在本例中， 阵列温度为

65.4 摄氏度，

处于该器件的建议 工作规格范围内。

在某些情况下， 可以使用

计算光学吸收 热负荷的功率基本公式。

示例包括不适合 使用流明描述的

UV 和 IR 波长应用、 双芯片和三芯片应用，

以及给定的 流明水平

根据 DMD 热负荷不同 而产生显著变化的

固态照明源。

最终结果是 DMD 总功率 QARRAY，

无论是使用 基于流明还是

基于功率的公式。

大多数 DMD 都要通过 连接到封装背面的散热器

进行冷却。

一定要尽可能 扩大接触面积，

以便通过焊盘 或导热油脂接口

减小热阻。

热接触销的 大小

可以接近电气 中介层中的开口

减去机械裕度之后的大小。

虽然很多 DMD 的封装 背面都有黄金焊盘，

但这只是用作 DMD 的符号。

在多数情况下， 可用的散热接口面积

都会大于此黄金焊盘。

关于 DMD 数据表 散热注意事项的课程

到此结束。

如有其他问题 或需要帮助，

请访问 TI.com/DLP。