高压隔离技术如何工作 - 电容结构

欢迎。

我是Tom Bonifield。

我是德州仪器的高压隔离

技术专家。

我们现在在TI的一个高压实验室里。

该视频是关于

高压增强隔离质量和可靠性的

一系列视频中的一部分。

该视频位于高压隔离

结构本身。

德州仪器的增强隔离技术

通过使用串联的厚二氧化硅

电容器实现。

每个通道在两个芯片上都使用

高压隔离电容。

正如你可以在左上方的

示意性横截面中看到的那样，左侧有一个模具，

右侧有一个模具，每个模具

都有一个高压电容器。

它们是串联连接的。

组合的隔离电容器厚度

大于21微米。

数据通过隔离栅传输，

如右上方的原理图所示。

信号进入，被调制，作为差分电容器的一部分

穿过屏障，解调

并输出。

这种相同的隔离通信路径

用于数字隔离器，隔离链路，

A / D转换器，隔离放大器和隔离栅极

驱动器。

这种结构的结果是具有非常高的隔离

能力，12.8 kV浪涌电压额定值，

8 kV峰值瞬态过电压和1.5 kVrms工作电压。

现在让我们深入了解结构。

我们将从高层开始。

你所看到的是16引脚SOIC封装的X射线图像。

这是一种宽体封装，

其中从图像顶部到底部

有8毫米的爬电距离，

或者通常称为从左到右。

在封装内部，芯片焊盘之间的内部间距

大于600微米。

在芯片垫上有两个芯片，每侧一个。

如你所见，每个都有高压电容器。

这是一个三通道隔离器，

每侧可以看到六个电容器。

现在让我们详细介绍隔离电容。

增强隔离屏障由两个

这样的高压电容器组成，每个

芯片上串联一个。

并且每个电容器都是厚的二氧化硅电容器

电介质。

电介质由多层组成。

每层都是典型的集成电路

每年在数十亿单元中建造的方式。

每层沉积二氧化硅，

使用化学气相沉积进行沉积。

化学气相沉积是原子分子沉积，

其构建二氧化硅膜。

在将第二层添加到另一层之上之前，

用化学机械抛光平面化对第一层进行抛光，

以使层之间具有良好的粘合性。

结果是非常厚的

二氧化硅电容器，总厚度大于

10.5微米，具有非常高的隔离电压能力。

对此最好的测试之一是击穿电压测试

或斜坡到击穿测试。

在该测试中，从左侧向右侧

施加AC高压应力。

这种压力以每秒1千伏rms的

速率上升，直到发生故障。

当发生击穿时，记录击穿电压。

对大量单位重复这一点。

根据这些单位的统计数据，

我们可以评估该技术

相对于评级的表现。

因此，在此图中，

这是一个1,130个单位的直方图，

经过113个批次的斜坡到击穿测试。

你可以看到平均击穿电压

大于每千瓦14千伏。

这比5.7 kVrms的隔离额定值高很多。

因此，判断CPW高度的

一个好方法是CPK。

CPK为1表示数据高于隔离

要求3Σ。

CPK为2意味着数据比隔离额定值

高6Σ。

正如你所看到的，此数据集的CPK大于6。

并且此CPK是根据生产测试条件

测量的，该条件比隔离评级高20％。

该数据表明了非常高的电压隔离能力。

总之，TI的增强型隔离系列产品

具有超出强化隔离要求的

高压能力。

使用统计测试方法

通过大量利润证明了

高压隔离的质量。

有关详细信息，你可以访问ti.com/isolation

查找白皮书，以实现高压信号

隔离质量和可靠性。

谢谢。

欢迎。

我是Tom Bonifield。

我是德州仪器的高压隔离

技术专家。

我们现在在TI的一个高压实验室里。

该视频是关于

高压增强隔离质量和可靠性的

一系列视频中的一部分。

该视频位于高压隔离

结构本身。

德州仪器的增强隔离技术

通过使用串联的厚二氧化硅

电容器实现。

每个通道在两个芯片上都使用

高压隔离电容。

正如你可以在左上方的

示意性横截面中看到的那样，左侧有一个模具，

右侧有一个模具，每个模具

都有一个高压电容器。

它们是串联连接的。

组合的隔离电容器厚度

大于21微米。

数据通过隔离栅传输，

如右上方的原理图所示。

信号进入，被调制，作为差分电容器的一部分

穿过屏障，解调

并输出。

这种相同的隔离通信路径

用于数字隔离器，隔离链路，

A / D转换器，隔离放大器和隔离栅极

驱动器。

这种结构的结果是具有非常高的隔离

能力，12.8 kV浪涌电压额定值，

8 kV峰值瞬态过电压和1.5 kVrms工作电压。

现在让我们深入了解结构。

我们将从高层开始。

你所看到的是16引脚SOIC封装的X射线图像。

这是一种宽体封装，

其中从图像顶部到底部

有8毫米的爬电距离，

或者通常称为从左到右。

在封装内部，芯片焊盘之间的内部间距

大于600微米。

在芯片垫上有两个芯片，每侧一个。

如你所见，每个都有高压电容器。

这是一个三通道隔离器，

每侧可以看到六个电容器。

现在让我们详细介绍隔离电容。

增强隔离屏障由两个

这样的高压电容器组成，每个

芯片上串联一个。

并且每个电容器都是厚的二氧化硅电容器

电介质。

电介质由多层组成。

每层都是典型的集成电路

每年在数十亿单元中建造的方式。

每层沉积二氧化硅，

使用化学气相沉积进行沉积。

化学气相沉积是原子分子沉积，

其构建二氧化硅膜。

在将第二层添加到另一层之上之前，

用化学机械抛光平面化对第一层进行抛光，

以使层之间具有良好的粘合性。

结果是非常厚的

二氧化硅电容器，总厚度大于

10.5微米，具有非常高的隔离电压能力。

对此最好的测试之一是击穿电压测试

或斜坡到击穿测试。

在该测试中，从左侧向右侧

施加AC高压应力。

这种压力以每秒1千伏rms的

速率上升，直到发生故障。

当发生击穿时，记录击穿电压。

对大量单位重复这一点。

根据这些单位的统计数据，

我们可以评估该技术

相对于评级的表现。

因此，在此图中，

这是一个1,130个单位的直方图，

经过113个批次的斜坡到击穿测试。

你可以看到平均击穿电压

大于每千瓦14千伏。

这比5.7 kVrms的隔离额定值高很多。

因此，判断CPW高度的

一个好方法是CPK。

CPK为1表示数据高于隔离

要求3Σ。

CPK为2意味着数据比隔离额定值

高6Σ。

正如你所看到的，此数据集的CPK大于6。

并且此CPK是根据生产测试条件

测量的，该条件比隔离评级高20％。

该数据表明了非常高的电压隔离能力。

总之，TI的增强型隔离系列产品

具有超出强化隔离要求的

高压能力。

使用统计测试方法

通过大量利润证明了

高压隔离的质量。

有关详细信息，你可以访问ti.com/isolation

查找白皮书，以实现高压信号

隔离质量和可靠性。

谢谢。