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航天与国防

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设计下一个前沿
设计下一个前沿
课程时长:1:21
视频集数:1
标签: 航天 抗辐射 耐辐射 卫星系统 工业应用
我们的抗辐射和耐辐射产品和技术资源可帮助您设计可以在太空中运行数十年的卫星系统。我们即时可用的太空级产品库存和深厚的系统专业知识使您能够满足关键任务要求并创建具有更高集成度和功率密度、最高精度和最高带宽 (>7 GHz) 的系统。
TID基础知识 字幕
TID基础知识
课程时长:52:03
视频集数:3
标签: TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射
航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量(TID),也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介​​电层中产生过量电荷时,引起总剂量效应。总剂量效应是累积的,并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此,卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害,因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的,但是空穴(带正电的原子)必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导(关断)状态切换到高电导(导通)状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移,使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流,导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品,这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。
TI空间产品的辐射硬度保证(RHA)工艺 字幕
TI空间产品的辐射硬度保证(RHA)工艺
课程时长:7:23
视频集数:1
标签: RHA工艺 TID 总电离剂量 SMD 辐射
“总电离剂量(TID)变化问题 TI的辐射硬度保证(RHA)流程 标准微电路图(SMD)中的RHA指示符 如何下载辐射效应数据“
了解TI的增强型产品价值和风险缓解 字幕
了解TI的增强型产品价值和风险缓解
课程时长:4:38
视频集数:1
标签: MCU 增强型产品 COTS HAST测试 航空航天
“本次会议将回顾增强型产品如何符合TI的各种资格标准,增强型产品系列的优势等。 TI的增强型产品系列是商用现货(COTS)解决方案,具有以下主要优势: 制造和组装控制基线 不使用纯锡焊盘,焊球或铜焊线 DLA供应商项目图纸(VID或V62)零件编号,无需使用=源控制图纸 扩展产品变更通知(PCN) 扩展的温度性能(通常为-55°C至+ 125°C或客户指定) 独立数据表 资格和可靠性报告 扩展的HAST测试 产品可追溯性 产品生命周期长“
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