标签:GaN - 德州仪器（TI）官方视频课程培训

如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计

课程时长：5:45

视频集数：1

标签： POL GaN DC-DC转换器电源控制器

解释如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计

GaN 在电动汽车充电站和储能逆变器中的应用

课程时长：1:22:28

视频集数：6

标签： GaN 电动汽车充电站储能逆变器 ANPC 中文配音

本系列视频介绍了GaN 在电动汽车充电站和储能逆变器中的应用。

电源工程师培训授证项目系列培训-GaN HEMT 器件的研究现状、特点及应用

课程时长：2:23:27

视频集数：10

讲师：徐驰

标签：电源工程师 GaN HEMT 功率密度电源管理

氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体，与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，它可以实现更高的功率密度和效率。这次直播将会介绍氮化镓 HEMT 器件的发展历程，特点以及应用实例等。

TI 系统级电源设计研讨会

课程时长：2:45:51

视频集数：5

讲师：张巍, 林思聪, 傅力行

标签：电源设计待机功耗栅极驱动器隔离 GaN

具体介绍 TI 最新高压电源产品线及其相关技术培训，并且邀请了 TI 资深技术工程师及产品线大咖为您解决时下设计热点及前沿技术趋势等热点技术问题。

主流功率半导体简介

课程时长：2:03

视频集数：1

标签：功率半导体 Si-MOSFET IGBT GaN 栅极驱动器

本节将简要比较 Si-MOSFET、IGBT、Si-MOSFET 和 GaN 器件的主要区别，并强调栅极驱动器选择和设计注意事项的重要性。

使用 GaN 的高速 DC/DC 转换器

课程时长：5:18

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓 DC/DC 转换器电源管理

在 GaN 应用视频的第 2 部分中，我们将介绍 DC/DC 转换器的应用、GaN 在 DC/DC 转换器中的使用、使用 GaN 的 TI 设计以及该设计的应用。

GaN FET 注意事项

课程时长：7:56

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓 FET 电源管理驱动

该视频将介绍 GaN FET 的一些优点、结构优势以及一些驱动要求。

GaN FET 的关键参数

课程时长：6:44

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓 FET 电源管理寄生组件

在参数和设计建议视频的第 1 部分中，我们将介绍 GaN 提供的参数优势、其寄生组件及其优势。

GaN 驱动器的布局技巧

课程时长：6:33

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓驱动器电源管理

该视频将简要介绍 GaN，展示 GaN 与其他技术的比较，展示一些可带来优势的功能，并告诉您如何利用 GaN 的优势。

使用 GaN 的激光雷达简介

课程时长：9:09

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓激光雷达栅极驱动器电源管理

该 GaN 应用视频将介绍使用栅极驱动器时可能实现的众多应用之一。它将简要概述 LIDAR 并解释如何创建 ns 脉冲。

GaN FET 技术比较

课程时长：7:05

视频集数：2

标签： GaN FET 氮化镓电源管理

本视频将简要介绍 GaN，展示 GaN 与其他技术的比较，介绍一些可带来优势的功能，并告诉您如何利用 GaN 的优势。

GaN 如何实现更高效、更紧凑的电源

课程时长：10:01

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓功率开关电源管理功率损耗

在 GaN 功率开关基础视频的第 3 部分中，我们将介绍功率晶体管损耗的类型、GaN 如何降低这些功率损耗，以及 GaN 降低外形尺寸的一些方法。

TI 基于GaN 的高频(1.2MHz)高效率 1.6kW 高密度临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC)转换器的应用介绍

课程时长：1:05:56

视频集数：3

讲师：王蕊 Rayna Wang

标签： GaN 功率器件 PFC TIDA-00961 LMG3410

TIDA-00961方案使用了TI 600V氮化镓(GaN)功率器件LMG3410和TI Piccolo™ F280049主控芯片，其满载功率为1.6kW，最高开关频率1.2MHz，工作在（CRM）临界模式，密度高（165 x 84 x 40 mm）。该方案具有高频高效高密度特点，是服务器、电信和工业电源等有体积限制要求电源的理想选择。另外，该方案的两相交错并联结构能够减少输入和输出的电流纹波；硬件设计能够满足传导（conducted missions），浪涌（surge）和EFT的要求，帮助工程师实现80 Plus钛金规格。

如何在高效率功率因数校正（PFC）中使用 TI GaN？

课程时长：29:57

视频集数：3

标签：氮化镓 C2000 功率因数校正 PFC GaN PFC

在这次讲座中我们将介绍如何使用 TI GaN 在 PFC 中实现高效率和高密度，包括拓扑比较，控制器选择， GaN 在工业和汽车应用方面的 PCB 布局技巧，以及如何在基于 TI GaN 图腾柱 PFC 中搭配使用 C2000 控制器。

基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC(CCM)

课程时长：15:22

视频集数：2

讲师：Jason Yu

标签：氮化镓 PFC 电源设计研讨会电源 GaN

由于其出色的开关特性和经改进的性能指标，氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率，从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与常用到的伪无桥式PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC将半导体和升压电感器的数量减少了一半，同时将效率提升到99%的范围内。构建了一个450W图腾柱PFC电路，以表示第一款具有集成栅极驱动器的工业用非共源共栅 GaN所具有的特性。这款GaN充分证明了在性能方面的改进与提高。为了防止轻负载时的反向升压电流，提出了高精度飞轮GaN接通时间控制。还检查了高级开关频率控制，以优化转换器频率。

GaN 晶体管的命名法、类型和结构

课程时长：7:35

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓晶体管电源管理 FET

在 GaN 功率开关基础知识视频的第 1 部分中，我们将简要介绍 GaN 的优点、GaN 晶体管命名法、GaN FET 的类型和基本结构。

GaN 驱动器原理图提示

课程时长：13:07

视频集数：2

标签： GaN 氮化镓栅极驱动器电源管理

该视频将介绍半桥和低侧驱动器的典型原理图，并涵盖使用 GaN 栅极驱动器时推荐的组件。

基于 GaN 的高压与高功率电源设计优化

课程时长：54:01

视频集数：3

讲师：David Ji, Benny Feng, Linda Ye

标签： GaN 高功率电源车载充电器电源管理

GaN 使电源设计人员能够将电源的开关频率提高一个数量级。更高的工作频率可以将这些相同设计的尺寸缩小两倍或更多。基于此，再加上高可靠性，使 GaN 成为高压、高功率设计的一个有吸引力的选择。本演讲将探讨如何有效利用 GaN，通过深入探讨拓扑选择、最佳工作频率、布局、热管理、控制等各个方面，最大限度地加速您的设计。

使用 GaN 驱动器突破速度极限

课程时长：2:09

视频集数：1

标签： GaN 驱动器电源设计氮化镓电源管理

观看此视频，了解德州仪器 (TI) 业界领先的氮化镓 (GaN) 驱动器如何优化您的下一个电源设计。

基于GaN的4kW图腾柱无桥PFC助力实现高效率服务器电源和通信电源设计

课程时长：39:14

视频集数：1

标签： GaN PFC 服务器电源通信电源新基建

用电量是数据中心运营成本的主要组成部分，因此服务器电源对效率的要求也在逐渐提高，而随着GaN宽禁带器件技术的成熟，图腾柱无桥PFC必将成为未来服务器电源的主流拓扑。使用图腾柱PFC的效率可以做到什么样的水平？在图腾柱无桥PFC的开发过程中，将会遇到哪些技术挑战，以及如何解决？本篇基于TI GaN的4kW图腾柱无桥PFC参考设计帮您答疑解惑。视频内容： 1. 背景介绍：图腾柱PFC和常见挑战 2. 4kW图腾柱设计和测试结果：- 效率和死区影响- AC drop应对- 雷击浪涌测试 - EMI/CE和温升测试 3. 总结

具有 GaN 和 C2000™ 实时 MCU 的 6.6kW 双向板载充电器演示

课程时长：1:35

视频集数：1

标签： GaN C2000 MCU 充电器电源管理

此设计有助于使用 C2000 实时 MCU 和 TI GaN 减小板载充电器的尺寸。该参考设计板特点是： - 经过成本优化的全新 C2000 实时 MCU： F28003x - 业界较早采用 LMG3522R030-Q1 的汽车 GaN FET，具有集成驱动器、保护、报告和主动电源管理 - 顶部冷却表面贴装封装，简化生产和散热交流/直流 (PFC)：120khz，直流/直流；250khz - 800khz - HRPWM 可实现更快的切换 - 模拟集成可节省成本、缩小尺寸并提高效率 - 模拟集成简化了有源同步整流实现，可实现高效率 - 高开关频率操作可减少 59% 的功率级磁性 - 功率密度比现有解决方案高 2 倍

GaN 技术的影响及其对未来工业设计的意义

课程时长：7:42

视频集数：1

标签： GaN 工业设计电源管理氮化镓电源

加入 TI 的 Steve Tom 和 Delta Electronics 的 Kai Dong 博士之间的对话，他们将讨论 GaN 技术的影响及其对未来工业设计的意义。

功率密度、GaN 和 EMI 创新如何进一步推动电源管理

课程时长：11:33

视频集数：1

标签：功率密度 GaN EMI 电源管理封装

新工艺、封装和电路设计技术使电源设计人员能够开发下一代集成电路 (IC) 和系统——尽管他们必须在设计周期中克服各种挑战。适用于任何应用的最佳功率器件具有更小的尺寸、更低的系统成本、更高的效率和更高的可靠性。与汽车电源设计服务总经理 Pradeep Shenoy 一起，了解三个宏观层面的电源管理趋势（功率密度、GaN 和 EMI）的创新如何帮助工程师做到这一点。