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有关“航空航天”的课程有以下2条记录
- 了解TI的增强型产品价值和风险缓解
- 课程时长:4:38
- 视频集数:1
- 标签: MCU 增强型产品 COTS HAST测试 航空航天
- “本次会议将回顾增强型产品如何符合TI的各种资格标准,增强型产品系列的优势等。 TI的增强型产品系列是商用现货(COTS)解决方案,具有以下主要优势: 制造和组装控制基线 不使用纯锡焊盘,焊球或铜焊线 DLA供应商项目图纸(VID或V62)零件编号,无需使用=源控制图纸 扩展产品变更通知(PCN) 扩展的温度性能(通常为-55°C至+ 125°C或客户指定) 独立数据表 资格和可靠性报告 扩展的HAST测试 产品可追溯性 产品生命周期长“
- TID基础知识
- 课程时长:52:03
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- 标签: TID 双极结转移 MOSFET 航空航天 辐射
- 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量(TID),也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时,引起总剂量效应。总剂量效应是累积的,并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此,卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害,因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的,但是空穴(带正电的原子)必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导(关断)状态切换到高电导(导通)状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移,使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流,导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品,这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。
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