[音乐播放] 大家好。 我叫 Terry Allinder。 是德州仪器 (TI) 的一名首席 应用工程师。 我今天在此向大家 介绍我们新研发的 一款控制器， LM5140。 这款产品的主要特点之一是 压摆率控制。 正确使用压摆 率控制， 可以减少 系统的 电磁干扰。 左边显示的是 同步降压电路的原理图 右边是开关 节点波形， 以及电路寄生参数 造成的振铃。 现在这个振铃 会 对系统产生 坏的影响，因为它会产生 电磁干扰. 我们所做的是 ， 我们根据 CISPR 25 运行 传导发射。 这些是分类 限制，我们 可以看到，在 30 到 108 MHz 范围内， 传导发射 超出了 CISPR 限制。 如今，对于今天的大多数系统， 传导发射 非常重要，因此，我们 需要想办法解决 如何减少振铃， 从而降低 传导发射的等级。 在过去，我们 传统的做法是 通过增加MOSFET的 串联电阻 来降低 FETs 的 开关 时间， 从而 减少开关节点 的上升下降时间， 进而帮助减少振铃。 除此之外，我们 还会在开关节点 和地之间加缓冲电路。 缓冲电路的作用 是减小振铃， 从而帮助降低 传导发射。 替代此方法 可以使用具有压摆率 控制的 LM5140。 使用转换速率控制， 我们所做的是 独立输出 MOSFET 驱动器拉/灌 引线的引脚，让您 可以独立控制 高侧和低侧 MOSFET 的开通 和关断时间。 这样，您便可以更好 地控制开关节点的 上升和下降时间，从而 帮助减少振铃。 现在，如果正确 选择了电阻， 不仅可以减少 传导发射， 还能够提高 系统效率。 我所做的是使用 这个 EVM，同一个 EVM， 实施压摆率 控制功能。 这些是我最后使用 的电阻值。 对于大多数应用程序， 您会发现 这确实是一个 良好的开端。 所以，使用 压摆率控制， 当我们观察 开关节点电压时， 可以看到控制开启 和关断时间， 并减少与之相关 的所有振铃。 我们用 压摆率控制来测试 EVM， 并测量 传导发射。 这时使用了压摆率率控制。 这是我之前演示的 没有压摆率控制 的情况。 这些是 CISPR 的分类限制。 我们可以看到，从 30 到 108 MHz 范围， 我们将传导发射 减少了 至少 15 dB 毫伏。 总的来说， 压摆率控制比较有优势， 我们可以看到 传导发射减少了 15 dB 微伏，我们可以 更好地控制开关节点 的上升和下降 时间， 从而减少传导发射。 我们不仅可以 减少发射， 还能够优化达到 可能的最高效率。 因为我不使用 缓冲电路和 其他的一些 外部元件， 这样元件数量 减少了。 感谢您 观看本视频。 若想了解更多详情，请 访问 TI.com/product/LM5140-Q1。 [音乐播放]