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什么是静电放电(ESD)?

在此演示中,我将 概括介绍 ESD 及其对集成电路 造成的威胁。 您是否曾遇到过 在地毯上走过后 再触摸门把手时 受到电击的情况? 或者曾经在 触摸灯泡插座 或其他随意的某个 金属物体时感受到电击? 这些都是 ESD 事件。 ESD 代表 静电放电, 是在处于不同电势的 两个物体之间 流动的突发瞬时 电流。 在诸如集成电路等固态电子产品中, ESD 事件属于严重问题。 集成电路的制造材料 是半导体材料, 通常为硅,在经受 ESD 事件造成的高电压时, 可能会遭到 永久性损坏。 人体可作为 一个大电容器, 能够在皮肤表面 积聚大量电荷。 这让人类,不管是作为 生产操作员还是 终端设备用户,都成为 ESD 事件的最大来源。 ESD 电压可轻松 达到 5,000 伏, 这完全足以 损坏许多集成 电路。 但在极端情况下, 电压甚至可能更高。 例如,在低湿度环境中, 电压可超过 20,000 伏。 由于人是 ESD 的 最大来源, 如果工作场所中安装了 敏感音频接收器, 它会连续记录 与静电相关的啪啪声, 从而证明 ESD 事件 就发生在我们身边。 在汽车环境中, 由于接地连接不佳, 电荷积聚甚至更多, 从而导致 更严重的 ESD 事件。 此表为您提供了 可能在常见集成电路情形中 生成的 ESD 电压。 例如,在工作台四周走动的员工 可在 10% 的湿度下产生 6,000 伏的 ESD 事件。 此外,此表还展示了 随着周围环境湿度的降低 ESD 事件的严重性 会增加。 前面的幻灯片 概括介绍了 ESD 是什么,但它是如何 进入系统的呢? ESD 进入系统的 最常见方式之一是 直接电流或电荷注入。 例如,某个人用手指触摸 笔记本电脑上的 USB 端口 便属于直接电流注入。 直接电流注入可能会 损坏 MOSFET 和 CMOS 器件的栅极, 触发 CMOS 器件中的 锁存器, 并在附近的半导体上 产生电压脉冲。 磁场耦合 是 ESD 进入 系统和导致故障的 另一种方式。 同样,想象某个人 伸出手指 并将 ESD 能量释放到 USB 端口。 此时,只有 USB 端口 得到了适当的保护, 但 USB 端口的数据线附近 存在敏感电路。 ESD 事件会导致 USB 数据线上的电压 迅速增加,从而 在附近的敏感电路中 产生电流 并可能导致系统故障。 电场耦合 是 ESD 能量进入 系统中的最后一种方式, 当连接到诸如电源轨等 具有较大表面积的网络时, 可能产生高电场。 但是,因电场耦合造成的损害 十分罕见。 我们如今使用的 许多电子器件都 具有 USB、以太网、HDMI 或 某种形式的外部连接器, 它们可作为 ESD 进入 并损坏系统的 网关。 德州仪器 (TI) 开发了 ESD 保护器件, 这些器件将保护许多 可能的现有接口, 从而确保 系统稳健。 如需详细了解可能的 解决方案,您可访问 TI 的 ESD 保护登录页面, 网址为 www.ti.com/esd。 下面是一些 其他信息, 供您深入了解 TI ESD 保护。 下一次培训将为您讲述 TVS 二极管, 敬请期待。 谢谢观看。

在此演示中,我将 概括介绍 ESD

及其对集成电路 造成的威胁。

您是否曾遇到过 在地毯上走过后

再触摸门把手时 受到电击的情况?

或者曾经在 触摸灯泡插座

或其他随意的某个 金属物体时感受到电击?

这些都是 ESD 事件。

ESD 代表 静电放电,

是在处于不同电势的 两个物体之间

流动的突发瞬时

电流。

在诸如集成电路等固态电子产品中,

ESD 事件属于严重问题。

集成电路的制造材料 是半导体材料,

通常为硅,在经受 ESD 事件造成的高电压时,

可能会遭到 永久性损坏。

人体可作为 一个大电容器,

能够在皮肤表面

积聚大量电荷。

这让人类,不管是作为 生产操作员还是

终端设备用户,都成为 ESD 事件的最大来源。

ESD 电压可轻松 达到 5,000 伏,

这完全足以 损坏许多集成

电路。

但在极端情况下,

电压甚至可能更高。

例如,在低湿度环境中,

电压可超过 20,000 伏。

由于人是 ESD 的 最大来源,

如果工作场所中安装了 敏感音频接收器,

它会连续记录 与静电相关的啪啪声,

从而证明 ESD 事件 就发生在我们身边。

在汽车环境中,

由于接地连接不佳,

电荷积聚甚至更多,

从而导致 更严重的 ESD 事件。

此表为您提供了

可能在常见集成电路情形中

生成的 ESD 电压。

例如,在工作台四周走动的员工

可在 10% 的湿度下产生 6,000 伏的 ESD 事件。

此外,此表还展示了

随着周围环境湿度的降低

ESD 事件的严重性 会增加。

前面的幻灯片 概括介绍了

ESD 是什么,但它是如何 进入系统的呢?

ESD 进入系统的 最常见方式之一是

直接电流或电荷注入。

例如,某个人用手指触摸

笔记本电脑上的 USB 端口

便属于直接电流注入。

直接电流注入可能会

损坏 MOSFET 和 CMOS 器件的栅极,

触发 CMOS 器件中的 锁存器,

并在附近的半导体上 产生电压脉冲。

磁场耦合 是 ESD 进入

系统和导致故障的 另一种方式。

同样,想象某个人 伸出手指

并将 ESD 能量释放到 USB 端口。

此时,只有 USB 端口 得到了适当的保护,

但 USB 端口的数据线附近 存在敏感电路。

ESD 事件会导致 USB 数据线上的电压

迅速增加,从而 在附近的敏感电路中

产生电流

并可能导致系统故障。

电场耦合 是 ESD 能量进入

系统中的最后一种方式,

当连接到诸如电源轨等 具有较大表面积的网络时,

可能产生高电场。

但是,因电场耦合造成的损害 十分罕见。

我们如今使用的 许多电子器件都

具有 USB、以太网、HDMI 或 某种形式的外部连接器,

它们可作为 ESD 进入 并损坏系统的

网关。

德州仪器 (TI) 开发了 ESD 保护器件,

这些器件将保护许多 可能的现有接口,

从而确保 系统稳健。

如需详细了解可能的 解决方案,您可访问

TI 的 ESD 保护登录页面, 网址为 www.ti.com/esd。

下面是一些 其他信息,

供您深入了解 TI ESD 保护。

下一次培训将为您讲述 TVS 二极管, 敬请期待。

谢谢观看。

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什么是静电放电(ESD)?

所属课程:什么是静电放电(ESD)? 发布时间:2019.03.11 视频集数:1 本节视频时长:00:05:03
该视频概述了ESD,包括导致静电放电的事件及其来源。 我们还将讨论需要防止ESD冲击的应用。
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