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隔离栅极驱动器的应用: 课程时长：12:26; 视频集数：1; 标签：隔离放大器 TI 高精度实验室隔离栅极驱动器驱动器解决方案; TI高精度实验室 - 隔离系列的这一部分解释了隔离放大器的用途，并涵盖了设计时的关键考虑因素。


关键隔离栅极驱动器规格: 课程时长：18:26; 视频集数：1; 标签：隔离放大器 TI 高精度实验室隔离栅极驱动器驱动器解决方案; TI高精度实验室 - 隔离系列的这一部分解释了隔离放大器的用途，并涵盖了设计时的关键考虑因素。


孤立的栅极驱动器挑战和解决方案: 课程时长：6:56; 视频集数：1; 标签：隔离放大器 TI 高精度实验室隔离栅极驱动器驱动器解决方案; TI高精度实验室 - 隔离系列的这一部分解释了隔离放大器的用途，并涵盖了设计时的关键考虑因素。


TINA-TI（TM）系列课程: 课程时长：59:28; 视频集数：8; 标签： TINA-TI TM模拟器 ERC 图形用户界面 GUI; 在此视频中，介绍了如何获取TINA-TI软件，如何安装，如何使用最新内容进行更新以及快速查看图形用户界面（GUI）的说明。


TID基础知识: 课程时长：52:03; 视频集数：3; 标签： TID 双极结转移 MOSFET 航空航天辐射; 航空航天设计界最常见的辐射要求是总电离剂量（TID），也称为总剂量。当电子和质子在用于电子器件中的绝缘的介电层中产生过量电荷时，引起总剂量效应。总剂量效应是累积的，并且在装置退化变得明显之前需要长期暴露于许多辐射事件。因此，卫星或航天器中的电子设备随着时间的推移会累积TID损害，因为它们在连续的辐射水平下运行。虽然电子在绝缘体中是可移动的，但是空穴（带正电的原子）必须通过断开键而移动并且可能陷入缺陷中。器件绝缘体中积累的正电荷的结果导致降级和/或器件故障。氧化物电荷累积影响半导体电路中使用的晶体管的电流 - 电压特性。晶体管的正确操作依赖于当栅极电压通过阈值时将其从低电导（关断）状态切换到高电导（导通）状态的能力。长时间暴露于TID辐射会使阈值电压发生偏移，使得晶体管更容易或更难切换。辐射还可能增加漏电流，导致晶体管的导通和截止状态变得不太可区分。这两种效应都可能最终导致电路故障。对于我们的太空产品，这些影响已在我们的TID辐射报告中进行了表征和总结。


TI空间产品的辐射硬度保证（RHA）工艺: 课程时长：7:23; 视频集数：1; 标签： RHA工艺 TID 总电离剂量 SMD 辐射; “总电离剂量（TID）变化问题 TI的辐射硬度保证（RHA）流程标准微电路图（SMD）中的RHA指示符如何下载辐射效应数据“


RFID培训系列: 课程时长：18:25; 视频集数：9; 标签： RFID 射频识别无线连接 TI 射频; 本视频通过重点介绍TI的RFID专业知识，开始了RFID培训系列。


如何设置TI的ADS8681性能演示套件: 课程时长：7:05; 视频集数：1; 标签： ADS8681 ADC SAR multiSPI 数字接口; 他的视频将演示如何设置TI的ADS8681性能演示套件。 ADS8681是一款16位，1 MSPS，单通道精密SAR ADC。该器件具有集成的模拟前端（AFE）输入驱动器电路，高达±20 V的过压保护电路和片内4.096 V基准电压源，具有极低的温度漂移。 ADS8681采用单个5 V模拟电源供电，可支持±12.288 V，±6.144 V，±10.24 V，±5.12 V和±2.56 V的真双极性输入范围，以及最高0的单极性输入范围 V至12.288 V.该器件还具有TI创新的multiSPI™数字接口。


使用TI的串联电容降压转换器进行设计: 课程时长：43:58; 视频集数：12; 标签：串联电容降压转换器 DC/DC 高频开关稳压器 TI; 了解DC / DC转换器的高频挑战。


MSP CapTIvate自适应传感器PCB设计指南: 课程时长：20:46; 视频集数：4; 标签： CapTIvate MSP430 传感器 PCB设计 HMI 人机界面 MSP430FR2633; 良好的电容式传感器设计可以改善产品的HMI（人机界面）性能和稳健性。本视频介绍了自电容的基本原理以及按钮，滑块和车轮传感器PCB布局的建议指南。


SimpleLink™MCU平台SDK代码可移植性: 课程时长：1:56; 视频集数：1; 标签： SimpleLink MCU SDK 驱动器 TI-RTOS; SimpleLink SDK包括TI驱动器，集成的TI-RTOS，POSIX兼容的API，支持加密的安全功能以及物联网堆栈和插件。让我们帮助您设计下一代连接设备。

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